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公开(公告)号：CN117693607A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280051650.1
申请日：2022-07-26
Applicant: AGC株式会社
Inventor： 林瑠衣 , 小川朝敬 , 河原弘治
IPC: C23C16/42
Abstract: 一种半导体制造装置用的部件，具有CVD制的多晶SiC部分，上述部分包含相对于该部分的整体以10原子浓度ppm～10原子浓度％的范围掺杂的第1掺杂剂，上述第1掺杂剂具有选自Al(铝)、Y(钇)、Mg(镁)、Sn(锡)、Ca(钙)、Zn(锌)、Co(钴)、Fe(铁)、Ni(镍)、Ag(银)和Cr(铬)中的至少一种元素。
