公开(公告)号：CN117164228A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310947445.X

申请日：2020-04-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 土屋博之 ,  黑岩裕 ,  小野和孝 ,  小川朝敬 ,  松尾优作

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/078 ,  C03C4/14 ,  C03C4/20 ,  C03C25/00

Abstract: 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。

公开(公告)号：CN119731366A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060506.9

申请日：2023-06-21

Applicant: AGC株式会社 ,  翼真空理研株式会社

Inventor： 小川修平 ,  小川朝敬 ,  石川道夫 ,  谷村径夫 ,  冈田英一

IPC: C23C14/08 ,  C01F17/218 ,  C23C14/22 ,  C23C14/48 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种耐等离子体性和外观优异的钇质保护膜。本发明提供一种钇质保护膜，含有氧化钇，气孔率小于0.5体积％，维氏硬度为800HV以上。该钇质保护膜优选厚度为0.3μm以上，微晶尺寸为40nm以下，Y2O3的(222)晶面的取向度为50％以上，氢原子数为5.0×1021个/cm3以下，压缩应力为100～1700MPa。

公开(公告)号：CN116249795A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067306.7

申请日：2021-10-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 河原弘治 ,  小川朝敬

IPC: C23C16/42

Abstract: 本发明的部件是用于半导体制造的成膜装置或蚀刻装置用的部件，该部件包含外径为300mm以上且厚度为3mm以上的圆板或环状的SiC膜，该部件在上述SiC膜的露出的侧面不包含与上述SiC膜的厚度方向垂直地延伸的界面。

公开(公告)号：CN117693607A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202280051650.1

申请日：2022-07-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 林瑠衣 ,  小川朝敬 ,  河原弘治

IPC: C23C16/42

Abstract: 一种半导体制造装置用的部件，具有CVD制的多晶SiC部分，上述部分包含相对于该部分的整体以10原子浓度ppm～10原子浓度％的范围掺杂的第1掺杂剂，上述第1掺杂剂具有选自Al(铝)、Y(钇)、Mg(镁)、Sn(锡)、Ca(钙)、Zn(锌)、Co(钴)、Fe(铁)、Ni(镍)、Ag(银)和Cr(铬)中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN117164229A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310947883.6

申请日：2020-04-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 土屋博之 ,  黑岩裕 ,  小野和孝 ,  小川朝敬 ,  松尾优作

IPC: C03C3/091 ,  C03C4/14 ,  C03C4/20 ,  C03B25/00

Abstract: 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。

公开(公告)号：CN113677637B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202080028313.1

申请日：2020-04-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 土屋博之 ,  黑岩裕 ,  小野和孝 ,  小川朝敬 ,  松尾优作

IPC: C03B25/00 ,  C03C3/078 ,  C03C3/091 ,  B60J1/00 ,  H01Q1/38 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。

公开(公告)号：CN118973973A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031505.1

申请日：2023-03-17

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  小川朝敬 ,  金原一树

IPC: C03C3/087 ,  C03C3/078 ,  C03C3/085 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种耐等离子体性部件用的玻璃块，含有硅、以及镁和钙中的至少一种，并且，将碱金属元素设为R1，碱土金属元素设为R2时，以氧化物基准的摩尔百分率表示，MgO和CaO的含量的合计为3.0摩尔％以上且小于29.0摩尔％，R2O的含量为3.0摩尔％以上且小于35.0摩尔％，R12O的含量为8.0摩尔％以下。

公开(公告)号：CN118696147A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380022035.2

申请日：2023-02-14

Applicant: AGC株式会社 ,  翼真空理研株式会社

Inventor： 石川道夫 ,  谷村径夫 ,  小川修平 ,  小川朝敬

IPC: C23C14/06 ,  C23C16/44 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及一种钇质保护膜，其X射线衍射图谱中的Y5O4F7的峰强度比为60％以上，气孔率小于1.5体积％，维氏硬度为500MPa以上。

公开(公告)号：CN113677637A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080028313.1

申请日：2020-04-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 土屋博之 ,  黑岩裕 ,  小野和孝 ,  小川朝敬 ,  松尾优作

IPC: C03B25/00 ,  C03C3/078 ,  C03C3/091 ,  B60J1/00 ,  H01Q1/38 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。