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公开(公告)号：CN101541912B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200780043118.0
申请日：2007-11-20
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , H01L21/31053 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明公开了一种在溶液相中直接制备二氧化铈粉末的方法，该方法通过a)将铈前体溶液与沉淀剂溶液混合而使反应发生；以及b)对反应的溶液进行氧化处理，其中，将至少一种不含水的纯有机溶剂用作用于铈前体溶液以及沉淀剂溶液的溶剂，从而来制备二氧化铈粉末，该粉末的粒度调节为50nm至3μm。本发明还公开了由该方法制得的二氧化铈粉末和包含该二氧化铈粉末作为抛光剂的CMP浆料。该方法通过在湿法沉淀法中采用有机溶剂作为溶剂可以制备具有50nm以上的平均粒度和高结晶度的二氧化铈粉末，而通过常规的湿法沉淀法则难以制备这样的粉末，并且即使没有经过单独的热处理也可将这样制备的二氧化铈粉末用作用于CMP浆料的抛光剂。
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公开(公告)号：CN101304947B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680042218.7
申请日：2006-11-10
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/005 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/60 , C01P2002/76 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种通过将铈前驱体溶液与碳酸盐前驱体溶液混合并使该混合溶液进行沉淀反应来制备碳酸铈粉末的方法，其中，铈在所述铈前驱体溶液中的浓度为1M～10M，所述铈前驱体与碳酸盐前驱体的摩尔浓度比为1∶1～1∶7，并且所述铈前驱体溶液含有选自由碳酸盐化合物、丙烯酸化合物和含硫酸根离子的化合物组成的组中的至少一种添加剂。根据公开的发明，通过控制铈前驱体溶液的浓度、铈前驱体与碳酸盐前驱体溶液的摩尔浓度比、添加剂的种类等，可以由液相法制备具有0.05～1μm均一粒度的碳酸铈粉末。同样地，即使具有正交晶体结构，该碳酸铈粉末也能具有长宽比为1～5的均一形状。
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公开(公告)号：CN101258106A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032288.4
申请日：2006-09-01
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17
Abstract: 本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN100588698C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200680000046.7
申请日：2006-01-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2-Si3N4膜的氧化铈研磨剂；以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈，所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度，并且在抛光时抛光表面也无微痕。
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公开(公告)号：CN101374922B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200780003331.9
申请日：2007-01-19
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101039876A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200680001015.3
申请日：2006-10-12
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，更具体而言，涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，其中通过制备铈前体，然后分解和煅烧制得的铈前体，而增大所述粉末的比表面积。控制孔分布以增大在抛光膜与抛光材料之间的化学接触面积，从而减少抛光时间同时降低粉末的物理强度，这就显著减少了在抛光膜上的刮痕。
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公开(公告)号：CN101258106B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200680032288.4
申请日：2006-09-01
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17
Abstract: 本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN1989075B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580025025.6
申请日：2005-07-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及氧化铈粉末及其制备方法。通过混合如氧化铈、氢氧化铈和碳酸铈的铈源和作为熔剂的碱金属化合物、并进行高温处理制备的本发明的氧化铈粉末可具有多种粒度同时具有球形。
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公开(公告)号：CN101495592A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027773.7
申请日：2007-07-26
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明公开了一种用于CMP磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和/或晶片内不均匀性(WIWNU)。更具体而言，所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。同样，本发明公开了包含用二氧化铈粉末作为磨料的CMP浆料以及使用该CMP浆料作为抛光浆料的用于半导体器件的浅沟槽隔离方法。
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公开(公告)号：CN101374922A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003331.9
申请日：2007-01-19
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。
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