公开(公告)号：CN101258106A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032288.4

申请日：2006-09-01

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 曹昇范 ,  鲁埈硕 ,  申东穆 ,  金种珌 ,  吴明焕 ,  金长烈 ,  崔银美 ,  高敏镇

IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/17

Abstract: 本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。

公开(公告)号：CN101258106B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680032288.4

申请日：2006-09-01

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 曹昇范 ,  鲁埈硕 ,  申东穆 ,  金种珌 ,  吴明焕 ,  金长烈 ,  崔银美 ,  高敏镇

IPC: C01F17/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B82Y30/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/17

Abstract: 本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。