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公开(公告)号：CN104603052A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045441.7
申请日：2013-08-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: C01B32/186 , C23C16/0209 , C23C16/26 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种制造石墨烯的方法、所述石墨烯以及制造所述石墨烯的设备。所述制造石墨烯的方法包括如下步骤：将催化剂金属层装入室内；对所述催化剂金属层施加张力；以及在对所述催化剂金属层施加张力的状态下通过将碳源供应入所述室内而在所述催化剂金属层上形成石墨烯。因此，通过对所述催化剂金属层施加张力能够增加在所述催化剂金属层上的颗粒的尺寸，并且通过使用所述催化剂金属层能够生长高质量的均匀石墨烯。
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公开(公告)号：CN107635918B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680021660.5
申请日：2016-04-15
Applicant: LG 电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , H01L29/16 , H01L21/283
Abstract: 本发明涉及石墨烯，并具体涉及使用基板表面改性掺杂石墨烯的方法、使用石墨烯和无机物制造石墨烯复合电极的方法、以及包含其的石墨烯结构。根据本发明的实施例的掺杂石墨烯的方法可以包括以下步骤：在基板上形成用于掺杂的前体聚合物层；以及在形成有前体聚合物层的基板上布置石墨烯。另外，根据本发明的实施例的制造石墨烯复合电极的方法可以包括以下步骤：在催化剂金属上形成石墨烯；在石墨烯上形成透明导电氧化物；通过施加150℃或更高的热使所述透明导电氧化物结晶化；以及将由石墨烯和透明导电氧化物组成的复合电极转移到最终基板。
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公开(公告)号：CN104603052B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201380045441.7
申请日：2013-08-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: C01B32/186 , C23C16/0209 , C23C16/26 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种制造石墨烯的方法、所述石墨烯以及制造所述石墨烯的设备。所述制造石墨烯的方法包括如下步骤：将催化剂金属层装入室内；对所述催化剂金属层施加张力；以及在对所述催化剂金属层施加张力的状态下通过将碳源供应入所述室内而在所述催化剂金属层上形成石墨烯。因此，通过对所述催化剂金属层施加张力能够增加在所述催化剂金属层上的颗粒的尺寸，并且通过使用所述催化剂金属层能够生长高质量的均匀石墨烯。
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