公开(公告)号：CN107419236B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710654905.4

申请日：2014-01-10

Applicant: 加州理工学院

Inventor： 大卫·A·博伊德 ,  乃-昌·叶

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  H01L29/92

CPC classification number: C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本申请涉及用于石墨烯形成的方法和系统。一种形成石墨烯的方法包括将基底放置在处理室中并且将包括氢气和氮气的清洁气体引入到处理室中。该方法还包括将碳源引入到处理室中并且在处理室中引发微波等离子体。该方法还包括使基底经受清洁气体和碳源的流动持续预定的时间段以形成石墨烯。

公开(公告)号：CN109790030A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780011632.X

申请日：2017-01-11

Applicant: 通用电气(GE)贝克休斯有限责任公司

Inventor： 周舟 ,  V·N·克哈巴社斯库 ,  O·D·R·蒙蒂罗

IPC: C01B32/10 ,  C08J3/20 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08

CPC classification number: C25D5/48 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  C09D5/084 ,  C23C16/26 ,  C25D3/12 ,  C25D5/18 ,  C25D5/54 ,  C25D5/56

Abstract: 一种保护物品免受井下环境影响的方法包括通过化学气相沉积工艺使碳纳米管在基材的表面上生长；所述碳纳米管具有形成在所述基材的所述表面上的第一端和远离所述基材延伸的第二端；用金属材料或聚合物材料填充所述碳纳米管之间的空间，从而形成涂覆的物品；并且将所述涂覆的物品暴露在井下环境中。

公开(公告)号：CN105377753B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480036704.2

申请日：2014-06-26

Applicant: 纳米基盘 ,  柔软电子素子研究团 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 赵吉元 ,  奉晓琎

IPC: C01B32/186 ,  C23C16/06 ,  B01J23/755

CPC classification number: C01B32/186 ,  C01B2204/32 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  Y02P20/149

Abstract: 本发明的一个实施方式提供了石墨烯及其制备方法。本发明的制造石墨烯的方法包括如下步骤：(a)在基底上形成金属催化层；(b)向步骤a的金属催化层上引入覆盖构件；以及(c)通过进行化学气相沉积，使石墨烯在步骤b的金属催化层上生长。因此，由于覆盖构件的作用，通过促进金属催化分子在化学气相沉积装置中的聚集并防止金属催化剂的蒸发，能够改进合成的石墨烯的品质(例如透明度)，从而降低金属催化剂表面上的微尺度晶粒边界的尺寸。进而，在化学气相沉积装置的有限空间中合成并有效地大量制造在多种浓度的碳源气体中生长的石墨烯片层。

公开(公告)号：CN108611511A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810431239.2

申请日：2018-05-08

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 陈小红 ,  刘平 ,  周洪雷 ,  李伟 ,  付少利 ,  吴湾湾 ,  刘新宽 ,  张柯 ,  马凤仓

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C23C16/26

CPC classification number: C22C1/05 ,  B22F2003/1051 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C2026/002 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明公开了一种新型三维互通CNTs/Cu复合材料及其制备方法。本发明运用放电等离子预压烧结三维疏松结构，并采用水辅助化学气相沉积(CVD)法实现CNTs的原位生成，最后采用SPS制备CNTs/Cu复合材料。本发明制得的复合材料导电性及强度等各项性能优异，可用于电器、电子领域，且制备方法简单、成本低、制备过程易于实施及控制。

公开(公告)号：CN108368610A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680064665.6

申请日：2016-11-04

Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 ,  学校法人庆应义塾

Inventor： 铃木哲也 ,  二神油谷 ,  白仓眀良 ,  小野一哉

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/40 ,  C23C16/26 ,  C08J7/14

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/26 ,  C23C16/401

Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供具有优异阻隔性的薄膜层压膜。本发明的另一个目的在于提供一种制造薄膜层压膜的方法，其中借助于具有低设备成本和运行成本的大气压等离子体CVD将多个薄膜涂覆在塑料膜上，并且还在于提供一种能够长时间连续操作并能够产生高速涂布的薄膜层压膜生产设备。根据本发明的薄膜包括塑料膜、包含氧化硅作为主要成分的第一氧化硅基薄膜和第一无定形碳基薄膜。第一无定形碳基薄膜形成在第一氧化硅基薄膜上。第一氧化硅基薄膜具有直径在10-200nm范围内的针孔。

公开(公告)号：CN105047527B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201510218764.2

申请日：2015-04-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金瑅镐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32522 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334

Abstract: 提供种用于处理基板的系统和方法。所述基板处理系统可包括处理腔室,所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗;支撑单元,所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板;气体供应单元,所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室;等离子体源,所述等离子体源设置在所述处理腔室外部,以由供应到所述处理腔室中的处理气体产生等离子体;以及加热单元,所述加热单元加热所述介质窗,加热单元可包括加热器和设置在所述介质窗的个表面上的导热层。

公开(公告)号：CN108251819A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810065438.6

申请日：2018-01-23

Applicant: 温州职业技术学院

Inventor： 王向红 ,  黄志宏 ,  李士本 ,  吴骥 ,  吴百中

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/503

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/503

Abstract: 本发明公开了一种孪生负载中频交流PECVD沉积DLC涂层的方法，包括真空腔内布置第一组工件和第二组工件，第一组工件中所有工件电连接，第二组工件中所有工件电连接；所述第一组工件和所述第二组工件的相对位置关系应满足条件：通过对第一组工件进行旋转或平移，可使第一组工件和第二组工件有规律地重合；以中频交流电源为等离子体激发源，所述中频交流电源的两极分别连接第一组工件和第二组工件；对真空腔抽真空并通入源气体，开启中频交流电源，采用PECVD在工件上沉积DLC涂层。本发明可避免DLC涂层沉积过程中的放电终止和阳极消失，从而可进一步消除由放电终止和阳极消失导致的工艺波动和产品品质不良。

公开(公告)号：CN103305805B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310067129.X

申请日：2013-03-04

Applicant: 波音公司

Inventor： L·S·C·平格里 ,  M·H-E·韦尔

IPC: C23C16/04

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了具有耗尽区的磨损零件（12）和生产该磨损零件的方法、用于生产具有耗尽区的磨损零件（12）的系统和控制结构以及相关的方法和软件。一些方法利用等离子体增强化学气相沉积过程来生产在磨损零件上具有所需涂层轮廓（28）的涂层。

公开(公告)号：CN105555447B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480051890.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 胁真宏 ,  今里真唯 ,  何丹

IPC: B23B51/00 ,  B23C5/10 ,  B23C5/16 ,  C23C16/26

CPC classification number: B23B51/02 ,  B23B51/00 ,  B23B2226/31 ,  B23B2228/04 ,  B23B2228/10 ,  B23B2228/56 ,  B23B2251/408 ,  B23C2226/31 ,  B23C2228/10 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/271

Abstract: 本发明提供一种在基体的前端部设有切削刃的切削工具中，均满足切削刃以及切屑排出部所要求的被覆层的性能的切削工具。该切削工具具备至少设置在前端部A的切削刃(2)；以及与切削刃(2)邻接且从前端部(A)朝向后方(后端(B)方向)地设置的切屑排出部(4)，该切削工具是钻头(1)等切削工具，在其棒状的基体(5)的表面设有由金刚石与石墨的混合相构成的被覆层(6)，该被覆层(6)的从前端向后方10mm的后方部(B)处的金刚石的含有比率比前端部(A)低。

公开(公告)号：CN108137390A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057567.X

申请日：2016-08-30

Applicant: 康宁公司

Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 ,  刘鑫源 ,  普兰蒂克·玛祖德

IPC: C03C15/00 ,  C23C16/26

CPC classification number: B32B37/025 ,  B32B7/06 ,  B32B9/04 ,  B32B37/26 ,  B32B38/10 ,  B32B2037/268 ,  B32B2255/26 ,  C01B32/194 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/24 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: 本文公开了用于将石墨烯膜转移到基底上的方法，所述方法包括将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面，其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触；将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上；去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底；以及使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。本文还公开了包括石墨烯膜、热释放聚合物层和聚合物层的转移基底。