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公开(公告)号：CN102593240A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210012392.4
申请日：2012-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN102544135B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110441952.3
申请日：2011-12-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；位于所述基板处的发射极区，其具有第一薄层电阻率；位于所述基板处的第一高掺杂区，其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率；第一电极，其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区；以及第二电极，其位于所述基板处并且连接到所述基板，其中，所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉，并且连接到所述第一电极，所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出，以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。
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公开(公告)号：CN102214709B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010519088.X
申请日：2010-10-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及选择性发射极太阳能电池。选择性发射极太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，其位于基板的光接收表面上；以及多个第一电极，其位于发射极层上，并且电连接到发射极层。发射极层包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分、和具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分。第二发射极部分包括第一区域和第二区域，第一区域直接接触所述多个第一电极中的至少一个第一电极并与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠，所述第二区域位于所述第一区域周围并且不与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠。第二区域的线宽度等于或小于所述多个第一电极中的每一个第一电极的线宽度的大约八倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101611497A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780046006.0
申请日：2007-07-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02167 , G02B1/113 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳电池包括：p－n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p－n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p－n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。
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公开(公告)号：CN102593240B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210012392.4
申请日：2012-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN102544135A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110441952.3
申请日：2011-12-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；位于所述基板处的发射极区，其具有第一薄层电阻率；位于所述基板处的第一高掺杂区，其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率；第一电极，其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区；以及第二电极，其位于所述基板处并且连接到所述基板，其中，所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉，并且连接到所述第一电极，所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出，以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。
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公开(公告)号：CN101611497B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780046006.0
申请日：2007-07-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02167 , G02B1/113 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳电池包括：p-n结构，其由第一导电型半导体基板、第二导电型半导体层以及p-n结形成，该第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体基板上，导电类型与上述第一导电型半导体基板相反，该p-n结形成于上述第一导电型半导体基板和第二导电型半导体层之间的界面上；钝化层，其形成于上述第二导电型半导体层上，含有氮氧化硅来构成，折射率为1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述钝化层上，含有氮化硅来构成；前电极，其贯穿上述钝化层和防反射膜的一部分，与上述第二导电型半导体层相连，向外部露出；以及背电极，其隔着上述第一导电型半导体基板，在与上述前电极的相反侧，与上述第一导电型半导体基板连接。
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公开(公告)号：CN102214709A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010519088.X
申请日：2010-10-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及选择性发射极太阳能电池。选择性发射极太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，其位于基板的光接收表面上；以及多个第一电极，其位于发射极层上，并且电连接到发射极层。发射极层包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分、和具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分。第二发射极部分包括第一区域和第二区域，第一区域直接接触所述多个第一电极中的至少一个第一电极并与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠，所述第二区域位于所述第一区域周围并且不与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠。第二区域的线宽度等于或小于所述多个第一电极中的每一个第一电极的线宽度的大约八倍。
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