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公开(公告)号：CN102301488B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980155733.X
申请日：2009-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022458 , H01L31/02245 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：第一导电类型的基板，其具有至少一个通孔；所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一导体；通过所述通孔而电连接到所述第一导体的第二导体；以及电连接到所述基板的第三导体，所述第三导体与所述第二导体电气分离。所述第一导体的一部分和所述第二导体的一部分位于所述通孔内。
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公开(公告)号：CN102037568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118599.6
申请日：2009-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105375644B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201510589035.8
申请日：2015-08-14
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 能量存储设备和包括该能量存储设备的能量存储系统。讨论了一种能量存储设备和包括该能量存储设备的能量存储系统。该能量存储设备包括：至少一个电池组；电力转换单元，该电力转换单元在能量存储设备的充电模式下将来自内部电网的三个相位之中的第一相位的AC电力转换为DC电力，并且在能量存储设备的放电模式下将存储在至少一个电池组中的DC电力转换为AC电力；通信模块，该通信模块与外部能量存储设备交换数据；以及控制器，该控制器控制电力转换单元。
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公开(公告)号：CN105375644A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510589035.8
申请日：2015-08-14
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 能量存储设备和包括该能量存储设备的能量存储系统。讨论了一种能量存储设备和包括该能量存储设备的能量存储系统。该能量存储设备包括：至少一个电池组；电力转换单元，该电力转换单元在能量存储设备的充电模式下将来自内部电网的三个相位之中的第一相位的AC电力转换为DC电力，并且在能量存储设备的放电模式下将存储在至少一个电池组中的DC电力转换为AC电力；通信模块，该通信模块与外部能量存储设备交换数据；以及控制器，该控制器控制电力转换单元。
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公开(公告)号：CN102292825B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200980155217.7
申请日：2009-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/02168 , H01L31/02245 , H01L31/02363 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：具有至少一个通孔的第一导电类型的基板；射极层，其仅位于所述至少一个通孔的至少一部分和从由所述基板的入射面和侧面组成的组中选择的至少一个上，所述射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；至少一个第一电极，其位于所述入射面上，所述第一电极电连接到所述射极层；第二电极，其连接到所述入射面的反面；以及至少一个第一电极集流器，其位于所述反面上，所述至少一个第一电极集流器与所述第二电极绝缘并且通过所述至少一个通孔电连接到所述至少一个第一电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171838B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200980138575.7
申请日：2009-12-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022458 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：具有至少一个通孔的第一导电类型的基板；形成在所述基板中的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；形成在所述射极层上的至少一个第一电极；至少一个集流器，其与所述至少一个第一电极相对，所述基板插在所述至少一个第一电极和所述至少一个集流器之间，所述至少一个集流器通过所述至少一个通孔而电连接到所述至少一个第一电极；以及第二电极，其与所述至少一个集流器间隔开，并且电连接到所述基板。在所述至少一个通孔中形成有多个不平坦部分。
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公开(公告)号：CN102136508B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010600630.4
申请日：2010-11-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L25/00
CPC classification number: H01L31/0508 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/049 , H01L31/0516 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池模块。所述太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，各个太阳能电池包括多个第一集流器和多个第二集流器；第一保护层，其位于太阳能电池的光入射面上；透明部件，其位于所述第一保护层上；以及导电图案部，其位于所述多个太阳能电池的非入射面。所述导电图案部包括第一图案和第二图案，所述第一图案具有连接到一个太阳能电池的第一集流器的多个第一凸起，所述第二图案具有连接到所述一个太阳能电池的第二集流器的多个第二凸起。所述多个第一集流器和所述多个第二集流器位于各个太阳能电池的没有光入射的表面上。
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公开(公告)号：CN102428572A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021852.9
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/0201 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/022458 , H01L31/0516 , Y02E10/50
Abstract: 本发明披露了太阳能电池和包括多个太阳能电池的太阳能电池组件。根据实施方式的太阳能电池包括第一导电类型的基板、位于所述基板之上的与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层、与所述发射极层电连接的多个第一电极、与所述基板电连接的第二电极、与所述多个第一电极电连接的第一集电器、和与所述第二电极电连接的第二集电器。所述第二集电器包括与所述第二电极电连接的多个第二电极集电器、和用于使所述多个第二电极集电器彼此连接的集电器连接器。
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公开(公告)号：CN102292829B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080005373.8
申请日：2010-01-06
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/02245 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池，该太阳能电池包括：具有至少一个通孔的第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；以及从所述基板的第一表面到所述至少一个通孔的至少一个第一电极、和从所述至少一个通孔到所述基板的第二表面的至少一个第一电极集流器，其中，所述至少一个通孔的半径为大约10μm至大约40μm，并且在所述至少一个通孔中，所述至少一个第一电极的一部分和所述至少一个电极集流器的一部分中的至少一方包括至少一个空腔。
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公开(公告)号：CN102593240A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210012392.4
申请日：2012-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
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