公开(公告)号：CN114110670A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111003198.5

申请日：2021-08-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙

IPC: F24C3/12

Abstract: 本发明涉及一种旋钮组件和包括其的烹饪设备，在根据本发明的一实施例的旋钮组件中，包括设置在旋钮和光源部之间的光漫射部，使光漫射部的中心和光漫射部中的配置有光源的点相连接的直线上的光漫射部的厚度，可以大于经过未配置有光源的点的直线上的光漫射部的厚度。由此，光能够向光漫射部的外围方向漫射。

公开(公告)号：CN113748523A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080031310.3

申请日：2020-04-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙 ,  金珍圣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/05

Abstract: 根据本发明的实施方式的制造方法可以包括以下步骤：设置太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体基板和半导体层，所述半导体层的吸收系数高于所述半导体基板的吸收系数并且形成在所述半导体基板的至少一侧上，使得所述半导体层朝向激光取向；向所述半导体层发射激光束以在所述太阳能电池上形成凹槽；以及沿所述凹槽将所述太阳能电池分成多个片。

公开(公告)号：CN101931029A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207365.3

申请日：2010-06-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  李大龙 ,  崔荣嫮 ,  韩东昊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及制造太阳能电池的方法。一种用于制造太阳能电池的方法可以包括以下步骤：形成发射区，所述发射区与第一导电类型的半导体衬底形成p-n结；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成包含第一导电类型的杂质的掺杂层；以及通过将激光束照射在所述半导体衬底上以使所述第一导电类型的杂质扩散到所述半导体衬底中，在所述半导体衬底处局部地形成背面场区。

公开(公告)号：CN102593240A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210012392.4

申请日：2012-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 高志勋 ,  金振镐 ,  安俊勇 ,  李大龙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。

公开(公告)号：CN101884116A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200980101219.8

申请日：2009-04-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙 ,  郑智元 ,  李贤镐

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元和所述电极之间的钝化层。所述钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。

公开(公告)号：CN102593240B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210012392.4

申请日：2012-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 高志勋 ,  金振镐 ,  安俊勇 ,  李大龙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。

公开(公告)号：CN114110670B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202111003198.5

申请日：2021-08-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙

IPC: F24C3/12

Abstract: 本发明涉及一种旋钮组件和包括其的烹饪设备，在根据本发明的一实施例的旋钮组件中，包括设置在旋钮和光源部之间的光漫射部，使光漫射部的中心和光漫射部中的配置有光源的点相连接的直线上的光漫射部的厚度，可以大于经过未配置有光源的点的直线上的光漫射部的厚度。由此，光能够向光漫射部的外围方向漫射。

公开(公告)号：CN102203953B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN200980143278.1

申请日：2009-09-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙 ,  金钟焕 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一电极；位于所述基板上的钝化层；位于所述钝化层上的第二电极导电层，所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极；以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。

公开(公告)号：CN102203953A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143278.1

申请日：2009-09-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李大龙 ,  金钟焕 ,  权亨振

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；电连接到所述射极层的第一电极；位于所述基板上的钝化层；位于所述钝化层上的第二电极导电层，所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极；以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。