公开(公告)号：CN101533815B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910005616.7

申请日：2009-01-20

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 山田茂

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，抑制通过设置在半导体基板上贯通口所露出的电极层发生裂缝。贯通过孔(22)的开口直径比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口直径大，并且按照贯通过孔(22)的开口边缘位于比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘更靠外侧的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。或者按照贯通过孔(22)的开口边缘与钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘(与焊盘电极(14)接触的部位的开口边缘)在不重叠的位置的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。

公开(公告)号：CN101533815A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910005616.7

申请日：2009-01-20

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 山田茂

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，抑制通过设置在半导体基板上贯通口所露出的电极层发生裂缝。贯通过孔(22)的开口直径比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口直径大，并且按照贯通过孔(22)的开口边缘位于比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘更靠外侧的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。或者按照贯通过孔(22)的开口边缘与钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘(与焊盘电极(14)接触的部位的开口边缘)在不重叠的位置的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。