公开(公告)号：CN111745534A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010222116.5

申请日：2020-03-26

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  许惠映 ,  尹锺旭 ,  徐章源 ,  安宰仁

IPC: B24B37/24 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种使缺陷发生率最小化的抛光垫及其制备方法。由于所述抛光垫包含具有壳的细小空心颗粒，所述壳的玻璃化转变温度(Tg)可调节，从而可控制所述壳的硬度和抛光层表面上的微孔的形状。由于所述抛光层中的Si含量可调节，从而可以防止由硬质添加剂引起的半导体衬底的表面损伤。因此，所述抛光垫可以在CMP工艺期间提供高的抛光速率，同时能够使诸如在半导体衬底表面上的划痕等的缺陷的发生率最小化。

公开(公告)号：CN111378085A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911363418.8

申请日：2019-12-26

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 郑恩先 ,  许惠映 ,  徐章源 ,  尹锺旭

IPC: C08G18/12 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/32 ,  C08L75/08 ,  C08J9/12 ,  C08J9/14 ,  C08J9/228 ,  B24B37/24 ,  H01L21/306 ,  C08G101/00

Abstract: 本发明的组合物可通过调节构成氨基甲酸酯类预聚物内的链的低聚物的组成来控制凝胶时间等的物性。因此，固化本发明的组合物来获取的研磨垫可控制微细孔特性、研磨率及垫切割率，可利用上述研磨垫来有效制备高质量的半导体器件。

公开(公告)号：CN111440288A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911335298.0

申请日：2019-12-23

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 郑恩先 ,  许惠映 ,  徐章源 ,  尹锺旭

IPC: C08G18/76 ,  C08G18/75 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/32 ,  C08J9/12 ,  C08J9/14 ,  C08J9/30 ,  C08L75/08 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  C08G101/00

Abstract: 在本实施方案的组合物中，可以通过控制氨基甲酸酯类预聚物中未反应的二异氰酸酯单体的含量来控制其物理性质，例如胶凝时间。因此，通过固化本实施方案的组合物得到的研磨垫的微孔特性、研磨速率和垫切割速率是可控的，使得利用所述研磨垫有效地制造高质量半导体器件成为可能。

公开(公告)号：CN111183003A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880064696.0

申请日：2018-08-06

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  安宰仁 ,  尹锺旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/013

Abstract: 实施方案涉及用于研磨垫的经表面处理的窗口，其能够防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差，以及包含该窗口的研磨垫。

公开(公告)号：CN110891734A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046724.6

申请日：2018-08-06

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  安宰仁 ,  尹锺旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  H01L21/306

Abstract: 实施例涉及在化学机械平坦化(CMP)工艺中使用且具有良好气密性的抛光垫，其中抛光垫在窗口开口的气密性是良好的，并且因此可防止在CMP工艺期间可能发生的水泄漏。