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公开(公告)号：CN110625511A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910407219.6
申请日：2019-05-15
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。
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公开(公告)号：CN110385642A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910317852.6
申请日：2019-04-19
Applicant: SKC株式会社
Inventor： 许惠暎 , 徐章源 , 尹钟旭 , 尹晟勋 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法，根据实例，可调节包含于上述多孔性聚氨酯研磨垫的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108581822A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810493229.1
申请日：2018-05-22
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5-2.5mm，具有平均直径为10-60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7-0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45-65Shore D，抗拉强度为15-25N/mm2，延伸率为80-250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30-100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1-10μm的深度。
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公开(公告)号：CN111745534A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010222116.5
申请日：2020-03-26
Applicant: SKC株式会社
IPC: B24B37/24 , B24D11/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种使缺陷发生率最小化的抛光垫及其制备方法。由于所述抛光垫包含具有壳的细小空心颗粒，所述壳的玻璃化转变温度(Tg)可调节，从而可控制所述壳的硬度和抛光层表面上的微孔的形状。由于所述抛光层中的Si含量可调节，从而可以防止由硬质添加剂引起的半导体衬底的表面损伤。因此，所述抛光垫可以在CMP工艺期间提供高的抛光速率，同时能够使诸如在半导体衬底表面上的划痕等的缺陷的发生率最小化。
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公开(公告)号：CN108581822B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810493229.1
申请日：2018-05-22
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。
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