公开(公告)号：CN111745534A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010222116.5

申请日：2020-03-26

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  许惠映 ,  尹锺旭 ,  徐章源 ,  安宰仁

IPC: B24B37/24 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种使缺陷发生率最小化的抛光垫及其制备方法。由于所述抛光垫包含具有壳的细小空心颗粒，所述壳的玻璃化转变温度(Tg)可调节，从而可控制所述壳的硬度和抛光层表面上的微孔的形状。由于所述抛光层中的Si含量可调节，从而可以防止由硬质添加剂引起的半导体衬底的表面损伤。因此，所述抛光垫可以在CMP工艺期间提供高的抛光速率，同时能够使诸如在半导体衬底表面上的划痕等的缺陷的发生率最小化。

公开(公告)号：CN108581822B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。

公开(公告)号：CN110625511A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910407219.6

申请日：2019-05-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  安宰仁 ,  文寿泳

IPC: B24B29/02 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24B55/06 ,  B24D18/00

Abstract: 本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

公开(公告)号：CN111183003A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880064696.0

申请日：2018-08-06

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  安宰仁 ,  尹锺旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/013

Abstract: 实施方案涉及用于研磨垫的经表面处理的窗口，其能够防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差，以及包含该窗口的研磨垫。

公开(公告)号：CN110891734A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046724.6

申请日：2018-08-06

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  安宰仁 ,  尹锺旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  H01L21/306

Abstract: 实施例涉及在化学机械平坦化(CMP)工艺中使用且具有良好气密性的抛光垫，其中抛光垫在窗口开口的气密性是良好的，并且因此可防止在CMP工艺期间可能发生的水泄漏。

公开(公告)号：CN109071814A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780020321.X

申请日：2017-04-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 李辰雨 ,  林东真 ,  安宰仁 ,  李锺虎 ,  金尚一 ,  金善焕 ,  吴大成 ,  郑多宇

IPC: C08G73/14 ,  C08J5/18 ,  G02F1/1337 ,  C08G73/10 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明公开了一种聚酰胺-酰亚胺薄膜及其制备方法，所述聚酰胺-酰亚胺薄膜是透明的并且表现出诸如表面硬度等的优异机械性能。所述聚酰胺-酰亚胺薄膜为芳族二胺、芳族二酐和芳族二羰基化合物的共聚物，其中，所述芳族二胺和芳族二酐形成酰亚胺单元；所述芳族二胺和芳族二羰基化合物形成酰胺单元；且所述酰胺单元占100摩尔％的聚合物单元的50-70摩尔％，从而表现出透明性和优异的机械性能，包括表面硬度。

公开(公告)号：CN108581822A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5-2.5mm，具有平均直径为10-60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7-0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45-65Shore D，抗拉强度为15-25N/mm2，延伸率为80-250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30-100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1-10μm的深度。

公开(公告)号：CN112571303A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931497.1

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24D11/00 ,  B24D11/02

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含硅烷类重复单元的聚氨酯，通过抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN112571273A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931840.2

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含氟化重复单元的聚氨酯，通过所述抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN110785259A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042418.5

申请日：2018-07-10

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  柳俊城 ,  徐章源 ,  安宰仁

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/24 ,  H01L21/306

Abstract: 实施例涉及抛光垫，其包括硬度与其抛光层类似的窗口。因为抛光垫包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，所以它能产生防止CMP工艺期间划伤晶片的效果。另外，抛光垫的抛光层和窗口相对于温度具有类似的硬度改变率，因此它们可保持类似的硬度，而与CMP工艺期间温度的改变无关。