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公开(公告)号：CN119947273A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411948406.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 浙江大学 , 江苏集萃应用光谱技术研究所有限公司
IPC: H10F30/222 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于量子尺寸效应的AlQDs@Ga2O3日盲光电探测器、制备方法和应用，属于光电探测技术领域。本发明的日盲光电探测器，包括基底、Ga2O3层、量子点材料层、电极；Ga2O3层设置于基底表面，量子点材料层设置于Ga2O3层表面，且不完全覆盖Ga2O3层；电极包括电极Ⅰ和电极Ⅱ；电极Ⅰ、电极Ⅱ设置于Ga2O3层或量子点材料层上；且电极Ⅰ、电极Ⅱ不同时位于同一种材料层上；量子点材料层包括铝量子点(AlQDs)。本发明通过将在日盲波段光学带隙连续可调的AlQDs与在日盲波段有相适配带隙值的Ga2O3结合制得日盲探测器，该探测器具有出色波长选择性，为高分辨率单像素成像、超低功耗遥感和紫外多光谱光电检测应用提供了新思路，同时可用于深紫外抗干扰成像。
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公开(公告)号：CN119730468B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510228479.2
申请日：2025-02-28
Applicant: 金阳(泉州)新能源科技有限公司
IPC: H10F71/10 , H10F77/14 , H10F10/166 , H10F19/00
Abstract: 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法及模组，包括：S5、对去除掩膜层后的背面进行表面微蚀刻，控制蚀刻深度为0.5‑100Å；S6、在背面沉积第二半导体层；S7、形成第二开口区；S8、沉积透明导电膜层；S9、形成隔离槽，且隔离槽的至少部分边缘距离制绒面边缘有距离，在该距离内对应的第二掺杂硅晶层、本征非晶硅层以及经表面微蚀刻的第一掺杂多晶硅层形成反向漏电通道PN结。本发明能够形成分布均匀、稳定可控的有效反向漏电通道，能够避免电流集中导致区域发热，从而保护电池片免受热斑损坏，同时获得较高的电池效率；可取消旁路二极管使用，减少成本，增加发电量。
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公开(公告)号：CN119922992A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122652.0
申请日：2025-01-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种背接触电池，其中，所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂层和第二掺杂层；所述第一掺杂层的主体部和所述第二掺杂层的主体部交替分布在所述半导体基底的背光面一侧，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的导电类型相反；其中，所述第一掺杂层的一部分和所述第二掺杂层的一部分之间电性连接，并形成有侧面对接面，且所述侧面对接面具有第一弯折结构。本发明还提供了一种光伏组件。本发明的背接触电池的具有第一弯折结构的侧面对接面可以增大单个防热斑结构的漏电通道接触面积。
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公开(公告)号：CN119521794B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510065476.1
申请日：2025-01-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法。所述太阳能电池结构从下至上包括背面电极、Si衬底、i型层GaAs纳米柱、空穴传输层、正面电极；i型层GaAs纳米柱通过以下方法制备：1）将Si衬底进行高温退火，将Ga源和As源分别进行升温，As源先蒸发，然后裂解；2)在Si衬底上沉积一层Ga，高温生长GaAs纳米柱，低温继续生长，Si衬底上获得i型层GaAs纳米柱。本发明还公开了太阳能电池结构的制备方法。本发明使用Ga作为自催化剂，不会引入其他杂质，同时i型层GaAs纳米柱能够增强Si基太阳能电池太阳光的吸收，提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112635581B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202011610771.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 本公开提供了一种红外探测器及其制备方法，制备方法包括：S1，提供衬底，在衬底上生长形成外延层；S2，对外延层通过干法刻蚀工艺进行刻蚀形成探测器台面；S3，根据步骤S2所得结构，对探测器台面的表面腐蚀处理；S4，对腐蚀处理后的探测器台面的表面硫化处理以在探测器台面的表面形成第一钝化层，然后在硫化处理后的探测器台面的表面上沉积介质膜形成第二钝化层；S5，在第一钝化层和第二钝化层上开口以露出探测器台面的表面，在探测器台面的表面上形成第一电极和第二电极；S6，提供读出电路，将第一电极和第二电极与读出电路连接。本公开能抑制红外探测器台面表面漏电并提升台面的整体钝化效果，从而有效提高红外探测器的可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119907353A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510124096.0
申请日：2025-01-26
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H10F77/14 , H10F77/1223 , H10F10/14 , H10F77/30
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括衬底、第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第二隧穿层、第三掺杂半导体层、第一电极和第二电极，第一隧穿层设于衬底的第一面；第一掺杂半导体层设于第一隧穿层背离衬底的一侧；第二掺杂半导体层设于衬底的第二面；第二隧穿层设于第二掺杂半导体层背离衬底的一侧；第三掺杂半导体层设于第二隧穿层背离衬底的一侧，第一电极设于第一掺杂半导体层背离衬底的一侧；第二电极设于第三掺杂半导体层背离衬底的一侧。由此，可改善太阳能电池的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN119545972B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510104900.9
申请日：2025-01-23
Applicant: 鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种太阳能电池以及光伏组件。所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底具有第一表面，所述第一表面包括沿第一方向交替分布的金属化区和非金属化区，位于所述第一表面边缘区域的所述非金属化区为边缘非金属化区，位于所述第一表面中心区域的所述非金属化区为中心非金属化区；介质层，所述介质层设置于所述金属化区的表面；掺杂导电层，所述掺杂导电层设置于所述介质层背离所述硅基底的一侧；其中，所述边缘非金属化区的深度小于所述中心非金属化区的深度。本申请实施例可以减少清洗过程对所述太阳能电池的边缘区域造成损伤，避免出现崩边的现象，提高所述太阳能电池的良品率。
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公开(公告)号：CN119894147A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510090884.2
申请日：2025-01-20
Applicant: 滁州捷泰新能源科技有限公司
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/TOPCon叠层电池及其底电池和制备方法。底电池制备方法包括：对硅片进行双面制绒；在硅片的第一表面制备硼掺杂层；在硼掺杂层上的金属接触区进行激光推进、后氧化；后氧化结束后，去除硅片第二表面绕镀；对硅片进行二次制绒；在硅片的第二表面依次沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层，并制备磷掺杂层；之后对硅片的第一表面去Poly绕镀加清洗、在硅片的上沉积钝化膜层和减反膜层；在第一表面制备金属电极，得到钙钛矿/TOPCon叠层电池底电池。本发明中还公开了一种包含该底电池的钙钛矿叠层电池，该叠层电池提高了太阳光的短波响应，进一步提高钙钛矿叠层电池转化效率。
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公开(公告)号：CN119866088A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311371537.4
申请日：2023-10-20
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14 , H10F77/1223
Abstract: 本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，硼掺杂后对P区进行激光氧化，可以形成更加致密、阻挡性能更强的硼硅玻璃层掩膜，不仅使得所制备的p型掺杂区域具有高表面浓度、高钝化性能、低接触电阻的优点，也避免了阻挡或刻蚀浆料印刷带来的污染问题，且制作精度及产能更高，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN117790632B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311857049.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 天合光能股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种太阳能晶硅电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒以及掺杂元素扩散，硅基底的受光面形成p+发射结；去除硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层；在硅基底的受光面制备减反射层；在硅基底的背光面制备钝化层；在钝化层上制备至少一个延伸至硅基底的第一开口区域，在减反射层制备至少一个延伸至硅基底的第二开口区域，在第一开口区域内沉积本征非晶硅层以及n型掺杂层；硅基底的背光面制备导电膜层，在导电膜层上形成用于隔离第一开口区域的隔离槽；以及在硅基底的受光面、背光面分别制备正面电极以及背面电极。本发明制备方法工艺较为简单，步骤流程短，制作成本低。
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