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公开(公告)号：CN101958147A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010214001.8
申请日：2010-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/70 , G11C2213/79
Abstract: 本发明是揭露一种相变化存储装置及其操作方法。此处所描述的相变化存储装置及其操作方法是根据以下发现而提出，施加一初始高电流操作于一相变化存储单元以建立高电阻复位状态之后，可以使用在不同的偏压电压下此存储单元的电流电压行为来检测此存储单元是否为一具有不良数据保存特性的瑕疵存储单元。
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公开(公告)号：CN101908553A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010184324.7
申请日：2010-05-21
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0004 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。此装置包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括：基底内的被水平通道区隔开的第一与第二掺杂区；栅极，位于水平通道区上；第一介电层，覆盖栅极。第二区域包括第二场效应晶体管。第二场效应晶体管包括：第一端，穿过第一介电层而延伸以接触基底；第二端，位于第一端上且具有顶面；垂直通道区，将第一端与第二端隔开。第二场效应晶体管还包括位于第一介电层上且邻近垂直通道区的栅极。栅极具有与第二端的顶面共面的顶面。第二介电层将栅极与垂直通道区隔开。
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公开(公告)号：CN101872838A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910134763.4
申请日：2009-04-22
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
Inventor： 龙翔澜 , 林仲汉 , 杨明 , 亚历桑德罗·加布里埃尔·史克鲁特
CPC classification number: H01L45/143 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1666
Abstract: 本发明公开了一种具有埋入相变化区域的存储单元及其制造方法。本发明公开的一种存储单元包含一底电极包括一衬底部位及一柱状部位在该衬底部位之上，该柱状部位具有小于该衬底部位的一宽度。一介电层围绕该底电极且具有一顶表面。一存储元件于该底电极之上且包含一凹陷部位由该介电层的该顶表面延伸与该底电极的该柱状部位连接，其中该存储元件的该凹陷部位具有一宽度实质相等于该底电极的该柱状部位的该宽度。一顶电极在该存储元件之上。
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公开(公告)号：CN101777384A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910169156.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/06 , G11C8/10 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2013/0057 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 本发明揭露的存储单元感测方法是包含选择一存储单元。施加至存储单元的一第一偏压诱发存储单元中的第一反应。施加至存储单元的一第二偏压诱发存储单元中的第二反应，该第二偏压是与第一偏压不同。该方法包含根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值，以决定储存在存储单元的资料值。
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公开(公告)号：CN101727975A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810169253.6
申请日：2008-10-10
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
Inventor： 龙翔澜 , 蓝中弘 , 马修·J·布雷杜斯克
IPC: G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明公开了一种具有二极管结构的可编程电阻存储器，是有关于一种可编程电阻存储单元，其可由半导体二极管结构存取。亦揭露具有可编程电阻元件的此类二极管结构的制造方法及集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714609A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910171386.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法，将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极；形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体；以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包括熔解及冷却相变存储器材料主体的主动区内的相变存储器材料一次或多次，但不干扰主动区外部的多结晶状态。结果主动区的氧化硅网格具有至少一个硫属材料的区域。并且，主动区外部的多结晶状态的相变材料是小晶粒尺寸，因而获得更均匀的结构。
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公开(公告)号：CN101540368A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810183348.3
申请日：2008-12-02
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/04 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L27/222 , H01L27/24 , H01L43/08 , H01L45/145
Abstract: 本发明公开了一种存储单元及制造存储单元阵列的方法。本发明所公开的存储单元包含一存储单元层具有一第一介电层于该底电极层之上、一第二介电层于该第一介电层之上、及一顶电极于该第二介电层之上。该多个介电层定义一介层孔，具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定。一存储元件于该介层孔内，与该顶电极及该底电极电性连接。该介层孔的该第一及第二部分分别包含一狭隘、能量集中区域部分及一放大部分。该狭隘部分可以具有一宽度，其小于用来形成该介层孔的该放大部分所用的一光刻工艺最小特征尺寸。
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公开(公告)号：CN1187747C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN98814012.8
申请日：1998-12-17
Inventor： 詹姆斯·伊顿 , 罗伯特·R·海因策 , 杰弗里·S·麦卡利斯特 , 托马斯·R·阿尔布雷克特 , 托马斯·W·冯-阿尔滕 , 戈弗里·W·曼斯布里奇 , 卡尔·R·赫雷格尔 , 约翰·A·哈姆金
CPC classification number: G11B23/107 , G11B15/672 , G11B23/26
Abstract: 一种用于连接磁带(30)的导引销装置(10)，及一种制造该导引销装置的方法。该导引销装置包括一导引销(12)，一弹性体元件(14)，及一夹片(16)。该导引销为杠铃形状，具有加大的端部，和至少一对凸缘(20)，每一凸缘分别与相应的端部间隔一定距离，以限定一对凹槽(26)和导引销的中心部(18)。该中心部的尺寸确定为允许磁带绕中心部卷绕，而该弹性体元件环绕该磁带，该夹片紧压环绕该弹性体元件，以将磁带环绕导引销的中心部牢固地固定到位。导引销的端部表面可具有一向外的弧形(48)，以在导引销装配操纵过程中确保在设备表面上的平滑移动。导引销的边缘同样可以是圆弧形的。
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公开(公告)号：CN1038278C
公开(公告)日：1998-05-06
申请号：CN88107542
申请日：1988-11-04
Applicant: 国际商用机器公司
Inventor： 布鲁斯·莱奥·比尤克玛 , 戴维·韦恩·明尼斯塔 , 罗纳德·戴尔·莫尔斯
IPC: G06F13/38
CPC classification number: G06F11/2289 , G06F11/22
Abstract: 控制面板功能是提供给与输入/输出总线连接在一起的诸总线单元的。至少其中的一个总线单元有通过总线向一个或多个其它的总线单元提供控制命令的能力。控制设施配置在总线单元中并且充分地利用了现存的到处理器寄存器和主存贮器的通路。控制命令不同于其它的总线通信，它是为了向配置了控制设施的各总线单元提供完整的控制面板功能而由控制设施执行的。
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公开(公告)号：CN1026631C
公开(公告)日：1994-11-16
申请号：CN88107439
申请日：1988-10-29
Applicant: 国际商用机器公司
Inventor： 弗兰克·埃利奥特·莱温尼 , 卡德莱斯卡纳·莫汉
IPC: G06F15/40
CPC classification number: G06F17/30327 , G06F17/30362 , Y10S707/99938
Abstract: 一种利用索引树进行并发存取的方法包括步骤(1)利用所说的键记录从所说的根节点开始穿越所述各个节点直到一个底部节点；(2)禁止别的并发的事务处理对正在被穿越的节点和在它之前被访问过的节点的读之外的访问；(3)指出在底部节点中的所说的键记录；(4)限制对所述的键记录只能作读操作；(5)解除对被穿过的诸节点的所有访问限制；(6)取出这个键记录数据；以及(7)在取出记录数据后撤消对此键记录的访问限制。
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