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公开(公告)号：CN115483346A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110918232.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
Abstract: 本发明提供一种存储单元，形成在第一电极与第二电极之间的柱体结构中，包含叠层封装结构。在一示例中，该柱体包含电性串联于第一电极与第二电极之间的双向阈值开关材料的一主体、多个碳系中间层、多个金属层、和相变化存储器材料的一主体。叠层封装结构环绕该柱体。叠层介电封装结构包括至少三个共形层，包含一第一层材料、不同于第一层材料的一第二层材料的一第二共形层、和不同于第二层材料的一第三层材料的一第三共形层。
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公开(公告)号：CN102629661B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210021915.1
申请日：2012-01-31
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L47/00 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
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公开(公告)号：CN101937970B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010214596.7
申请日：2010-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/1625 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种具有一个或多个非定值掺杂浓度分布的相变化存储器，其包含一具有例如是硫属化物GST的相变化材料主体及一个或多个添加物的存储元件，其中添加物具有一沿着通过存储元件的电极间电流路径非定值添加浓度分布。此处的名词″非定值″添加物浓度分布的使用可以根据不同的结晶性、热性和电性以及相变化转变等条件而在不同区域中掺杂不同的材料或浓度。
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公开(公告)号：CN101562050B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910001340.5
申请日：2009-01-07
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/50 , G11C13/0004 , G11C29/50008 , Y10T29/49004
Abstract: 本发明涉及一种相变化存储器的测试与制造方法，包含施加一测试脉冲序列至该装置的一存储单元，而该测试脉冲使得通过该存储单元的电流具有会受到该测试脉冲影响的振幅。量测该存储单元电阻，以响应该测试脉冲序列。由该电阻量测中，筛选一参数集，而其包含至少一数值系数其用来模拟计算该量测电阻与通过该存储单元的电流振幅的相关性。该筛选的数值系数与该存储装置相关，并用来控制工艺的操作。
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公开(公告)号：CN101866942B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010165410.3
申请日：2010-04-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/142 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明揭露一种电极结构及一种制造一集成电路电极的方法，包括形成一包含管状构件的底电极，填充一例如是n型掺杂硅的导电材料，且具有一环状上表面。一碟型绝缘构件由氧化导电填充材料形成在管状构件之上。一可程序电阻材料例如是相变化材料，被沉积与该管状构件的上表面连接。一顶电极与该可程序电阻材料连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101615425B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810145009.6
申请日：2008-08-01
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: G11C13/003 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法。本发明有关于一种相变化存储元件，其包含一存储单元、一第一字线导体及一第二字线导体，和第一及第二存取元件，以分别响应至该第一及第二字线导体。控制电路安排在读取操作时仅使用第一字线导体存取此存储单元来建立自该位线通过该存储单元至该第一存取元件的该源极线的一电流通道，且在复位该存储单元的操作时使用该第一及第二字线导体存取该存储单元，来建立自该位线通过该存储单元而至该第一及第二源极线的一电流通道。
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公开(公告)号：CN101714609B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200910171386.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法，将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极；形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体；以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包括熔解及冷却相变存储器材料主体的主动区内的相变存储器材料一次或多次，但不干扰主动区外部的多结晶状态。结果主动区的氧化硅网格具有至少一个硫属材料的区域。并且，主动区外部的多结晶状态的相变材料是小晶粒尺寸，因而获得更均匀的结构。
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公开(公告)号：CN101685827B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910159799.8
申请日：2009-07-22
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
IPC: H01L27/24 , H01L29/861 , G11C16/02 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , Y10S438/90
Abstract: 本发明公开了一种存储装置及其制造方法。此处所述的存储装置包含多个存储单元。该多个存储单元中的每一存储单元包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边。每一存储单元更包含一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。
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公开(公告)号：CN101866942A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010165410.3
申请日：2010-04-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: H01L45/142 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明揭露一种电极结构及一种制造一集成电路电极的方法，包括形成一包含管状构件的底电极，填充一例如是n型掺杂硅的导电材料，且具有一环状上表面。一碟型绝缘构件由氧化导电填充材料形成在管状构件之上。一可程序电阻材料例如是相变化材料，被沉积与该管状构件的上表面连接。一顶电极与该可程序电阻材料连接。
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公开(公告)号：CN101685826A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910130299.1
申请日：2009-03-31
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司 , 奇梦达股份公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/102 , H01L21/8229 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法。该制造方法是由一结构开始，一般包含介电填充材料，并具有导线形成在其较低的部位上，以及一牺牲层形成于其上表面之上。在该填充材料中形成二极管，每一二极管具有与该导线相同导电类型的一轻掺杂第一材料层；一相反导电类型的一重掺杂第二材料层；以及一导电覆盖层。在该二极管上形成自动对准介层孔。在该自动对准介层孔内的自动对准及自我置中间隔物定义孔洞且露出该导电覆盖层。沉积存储材料至该孔洞，使该存储材料与该导电覆盖层相接触。在该存储材料的上部位形成一顶电极。
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