公开(公告)号：CN109216542A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810296008.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：第一导电线，在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，在第一导电线上并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及存储单元柱，在第一导电线与第二导电线之间的交叉点处连接到第一导电线和第二导电线，并包括加热电极层和接触加热电极层的可变电阻层，使得加热电极层的两个侧壁在第一方向上与第一导电线的两个侧壁对准。

公开(公告)号：CN108666417A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810257802.9

申请日：2018-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安东浩 ,  吴哲 ,  朴淳五 ,  堀井秀树

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2427 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。

公开(公告)号：CN108231822A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711040240.4

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠珍 ,  吴廷翼 ,  元福渊 ,  白光铉

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/12

Abstract: 一种可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

公开(公告)号：CN104779345B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410016740.4

申请日：2014-01-15

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  吴扬 ,  李群庆 ,  姜开利 ,  王佳平 ,  范守善

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/126 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C13/025 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种相变存储器，其包括：多个相变存储单元设置成行列式阵列，每一相变存储单元包括至少一碳纳米管线，所述碳纳米管线具有一弯折部；一相变层，所述相变层与所述碳纳米管线的弯折部至少部分层叠设置；设置在每一行的多个相变存储单元中的碳纳米管线的分别与一第一行电极引线及一第一列电极引线电连接，所述相变层与一第二行电极引线电连接，通过在所述第一行电极引线及第一列电极引线之间通入电流的方式加热所述相变层实现数据写入，通过在第一行电极引线及第二行电极引线之间输入电流的方式实现数据读取。

公开(公告)号：CN103066204B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210300911.7

申请日：2012-08-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 徐惠眞 ,  李锦范

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供相变存储器件和半导体器件的制造方法。制造相变存储器件的方法包括：在半导体衬底上形成开关器件层、欧姆接触层和硬掩模层；图案化所述硬掩模层以形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案来刻蚀所述欧姆接触层和所述开关器件层以形成包括欧姆接触图案、开关器件图案和所述硬掩模图案的图案结构；选择性地氧化所述图案结构的表面；形成绝缘层以掩埋所述图案结构；和将除其氧化表面以外的所述硬掩模图案选择性地去除以形成接触孔。

公开(公告)号：CN102881708B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110443623.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金明燮 ,  金秀吉 ,  朴南均 ,  金圣哲 ,  都甲锡 ,  沈俊燮 ,  李贤姃

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法。所述器件包括：半导体衬底；从半导体衬底的表面延伸的上电极；沿着与半导体衬底的表面平行的方向从上电极的两个侧壁延伸的多个开关结构；以及设置在所述多个开关结构与上电极之间的相变材料层。

公开(公告)号：CN104882480A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201410610790.5

申请日：2014-11-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L45/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/2454 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/7391 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126

Abstract: 一种隧穿晶体管，包括：半导体衬底，源极在半导体衬底上形成在上部区域中，并且半导体衬底具有第一半导体材料层；柱体，其形成在半导体衬底上，并且具有顺序层叠有沟道层和漏极的结构；栅极，其形成为包围柱体的周缘；以及第二半导体材料层，其构成源极的一部分、形成在源极和沟道层之间、具有与源极相同的导电类型、并且具有比第一半导体材料层更小的带隙。其中，源极和漏极具有相反的导电类型。

公开(公告)号：CN104718625A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380052469.3

申请日：2013-08-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 费代里科·皮奥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供三维存储器阵列架构及其形成方法。实例性存储器阵列可包含：堆叠，其包括位于许多层级处的多个第一导电线，所述多个第一导电线通过至少绝缘材料而彼此分离；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线而延伸。围绕所述至少一个导电延伸部而形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电延伸部而形成单元选择材料。所述至少一个导电延伸部、所述存储元件材料及所述单元选择材料位于所述多个第一导电线的共面对之间。

公开(公告)号：CN102751304B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210036939.4

申请日：2012-02-17

Applicant: 旺宏电子股份有限公司 ,  国际商用机器公司

Inventor： 龙翔澜

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明公开了一种以相变存储材料为基础的高密度存储装置及其制造方法。该存储装置包括一电极阵列，该电极阵列包括电极材料的薄膜板，多层带材，包括一存储材料层以及一顶部电极层，是经排列作为在该电极阵列中的各栏上的位线，该多层带材具有一主要本体以及一凸部，该凸部的宽度小于该主要本体的宽度并自对准于该薄膜板的接触表面上，在该凸部中存储材料接触在该电极阵列的该对应栏中的电极的薄膜板的该远程上的表面，该装置可以使用在上该接触表面上的自对准形态中的一镶嵌工艺而制作。

公开(公告)号：CN102522374B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200810074221.8

申请日：2008-02-13

Applicant: 旺宏电子股份有限公司 ,  国际商用机器公司 ,  奇梦达股份有限公司

Inventor： 龙翔澜 ,  陈介方 ,  陈逸舟 ,  陈士弘 ,  蓝中弘 ,  乔瑟夫·艾瑞克安德鲁 ,  史克鲁特·亚历桑德罗加布里尔 ,  马修J·布雷杜斯克 ,  柏尔·杰弗里威廉 ,  汉普D·汤玛斯 ,  菲利普·骞鲍里斯

IPC: H01L21/82 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开了一种用来制造伞状相变化存储器的方法，在一衬底上制造一底电极材料柱，而该衬底包含一导电接点阵列与存取电路电性连接。沉积一电极材料层并与该导电接点阵列可靠的电性连结。刻蚀电极材料以在对应的导电接点上形成一电极材料柱图案。接着，在该图案上沉积一介电材料以及平面化，以提供一电极表面并裸露出该电极柱的顶表面。接着沉积一可编程电阻材料，例如：硫属化物或其它相变化材料，之后再沉积一顶电极材料层。本发明是描述一种底表面大于顶表面的电极柱的装置。