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公开(公告)号：CN116264232A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211603372.4
申请日：2022-12-13
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 公开了一种用于由第一沟道层(110)形成第一晶体管结构(10)并由第二沟道层(210)形成第二晶体管结构(20)的方法，其中第一沟道层和第二沟道层被垂直堆叠在衬底(30)上。该方法包括从上方加工第一晶体管结构，随后从背面加工第二晶体管结构。
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公开(公告)号：CN110997988B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880047960.X
申请日：2018-07-10
Applicant: IMEC 非营利协会 , 鲁汶天主教大学
Abstract: 提供一种方法，用于将至少部分阀金属层转变为包括多个间隔(纳米)通道的模板。所述方法包括：第一阳极化步骤，由此，形成包括多个(纳米)通道的阀金属氧化物多孔层；保护处理，由此将疏水性表面引入(纳米)通道壁和(纳米)通道底部；保护处理后的第二阳极化步骤；以及蚀刻步骤。提供一种方法用于在模板的(纳米)通道内形成多个间隔结构。这些方法可以涉及在导电基材上形成功能材料层和/或制备固态电池组电池和电池组。
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公开(公告)号：CN116230718A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211541156.1
申请日：2022-12-02
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L27/092
Abstract: 本公开涉及一种互补场效应晶体管CFET器件，包括:底部FET器件和堆叠在底部FET器件顶部的顶部FET器件，该底部FET器件包括底部栅电极，该底部栅电极包括沿着所述底部沟道纳米结构的第一侧表面布置的侧栅极部分，以及该顶部FET器件包括沿第一方向间隔开的第一和第二沟道层以及顶部栅电极，该顶部栅电极被配置为相对于第一和第二沟道层中的每一个限定三栅极并包括布置在第一和第二沟道层之间的公共栅极部分，和在第一方向上突出的一对第一栅极叉齿、以及在相反的第二方向上突出的一对第二栅极叉齿，其中底部栅电极的侧栅部分限定了突出到顶部FET器件的顶部栅电极和第一沟道层外部的通孔接触部分；和用于将顶部栅电极耦合到顶部FET器件上的第一导线的顶部栅极接触通孔，以及用于将底部栅电极的通孔接触部分耦合到顶部FET器件上的第二导线的底部栅极接触通孔。
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公开(公告)号：CN116190308A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211403548.1
申请日：2022-11-10
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种用于形成半导体器件的互连结构(10)的方法，其中导电层被形成在绝缘层(103)上并被蚀刻以形成第一导电线(101)。此后，间隔物(104)被形成在第一导电线的第一端部的侧壁上。该方法还包括形成平行于所述第一导电线的具有第二端部的第二导电线(108)，其中第二端部的侧壁被布置成邻接间隔物，使得第一和第二金属线沿着相同的线路延伸并且被间隔物分隔开。槽(109)被形成在第二金属线中，沿着第二金属线的一部分延伸，并且第二掩膜层(110)被布置在该槽中。
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公开(公告)号：CN112213924B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010655788.5
申请日：2020-07-09
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种极紫外光刻EUVL设备(20)，包括：掩模版(220)，其包括要被成像在目标晶片(250)上的光刻图案；安装在掩模版(220)之前并与之平行的透光式防护膜(232)，其中该防护膜(232)使透射光沿着优先散射轴(214)散射；以及被配置成穿过防护膜(232)照射掩模版(220)的极紫外(EUV)照明系统(210)；该EUVL设备(20)进一步包括：具有接受锥(260)的成像系统(240)，该接受锥被配置成捕获由掩模版(220)反射并随后透射穿过防护膜(232)的所述光的一部分，其中该成像系统(240)被配置成将所捕获的部分投射到目标晶片(250)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242469B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201711261083.X
申请日：2017-12-04
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/10
Abstract: 一种FET器件包括具有绝缘表面的衬底、基本上垂直于衬底(100)的绝缘表面的，由绝缘材料制成或被绝缘材料覆盖的结构、由包围垂直结构以及衬底的绝缘表面的至少一部分的2D材料构成的薄层、与2D材料的薄层电接触的两个电极，所述电极之一在直立结构的顶部上、被布置成跨2D材料的薄层施加电场由此诱导其电导率的改变的控制电极。该FET器件还包括至少一个材料堆叠，其通过电容耦合，在2D材料的薄层中提供带弯曲的不同区域。
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公开(公告)号：CN113438987B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202080015152.2
申请日：2020-02-17
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： X·罗滕伯格
Abstract: 本发明提供了一种用于在柔性超声换能装置(2)和待检测的弯曲的物体(3)之间使用的声学联接界面(1)。界面(1)为具有弯曲柔性的片材(4)的形式，这允许片材(4)在柔性超声换能装置(2)的操作期间与所述弯曲的物体(3)形成连续接触。另外，片材(4)包括基体材料(5)和布置在所述基体材料(5)中的多个声学波导结构(6)，其中，多个声学波导结构(6)用于提供由超声换能装置(2)发出的超声信号(7)的双向联接。
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公开(公告)号：CN115692477A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210864545.1
申请日：2022-07-21
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及在(薄)半导体层的背面上制造背面器件，其中半导体层还包括布置在其正面的一个或多个正面逻辑器件。本公开提出了一种半导体结构，其包括半导体层和至少部分地布置在半导体层的正面的一个或多个正面逻辑器件。此外，该半导体结构包括布置在半导体层的背面的至少四个外延层，其中这四个外延层包括第一导电类型的第一外延层、直接设置在第一外延层上的第二导电类型的第二外延层、直接设置在第二外延层上的第二导电类型的第三外延层、以及直接设置在第三外延层上的第一导电类型的第四外延层。此外，该半导体结构包括多个背面器件，它们暴露在第四外延层的背表面处并被加工进入该至少四个外延层的不同深度。
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公开(公告)号：CN110997986B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201880047852.2
申请日：2018-07-10
Applicant: IMEC 非营利协会 , 鲁汶天主教大学
Abstract: 提供了包括形成有序网络的多根互连的线(101、102)的多孔固体材料。多孔固体材料(100)的预定体积表面积为2m2/cm3至90m2/cm3，预定孔隙率为3％至90％，且电导率高于100S/cm。多孔固体材料(100)的预定体积表面积为3m2/cm3至72m3/cm3，预定孔隙率为80％＞至95％，且电导率高于100S/cm。多孔固体材料(100)的预定体积表面积为3m2/cm3至85m3/cm3，预定孔隙率为65％至90％，且电导率高于2000S/cm。提供制备该多孔固体材料(100)的方法。公开了包括该多孔固体材料(100)的装置。
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公开(公告)号：CN113453809B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202080015890.7
申请日：2020-03-12
Applicant: IMEC 非营利协会 , 鲁汶天主教大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明提供了一种用于超声监测系统的用于检查弯曲物体的柔性超声换能器(1)。超声换能器(1)包括集成电路结构(7)和多层结构(2)，所述多层结构(2)包括超声换能元件(3a)的阵列(3)以及控制电路(5a)的阵列(5)，阵列(3)被布置在第一层结构(4)中并被配置成产生沿主换能器轴Z传播的超声能量的，阵列(5)被布置在第二层结构(6)中，并且其中该控制电路的阵列(5)以及该集成电路结构(7)被配置成操作所述第一层结构(4)中的超声换能元件的阵列(3)，该多层结构(2)进一步包括至少一个柔性层(8、9)，该至少一个柔性层(8、9)被布置成使得该多层结构(2)的弯曲柔性准许该超声换能器(1)在操作期间形成与所述弯曲物体的连续接触。
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