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公开(公告)号：CN1955840B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610136330.9
申请日：2006-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种具有最基本结构的基座(11)，具有包括第一和第二透明石英部分(11a)以及夹在它们之间的不透明石英部分(11b)的三层结构。例如，不透明石英部分(11b)由“泡沫石英”制成。另外，考虑在衬底(10)上所形成的薄膜的组分或厚度以及在闪光照射期间关于照射光能量的各种条件等，将不透明石英部分(11b)对闪光的不透明度确定在基于不透明石英部分(11b)材料或厚度的适当范围内。叠置结构可以包括具有不同透明度的多个不透明石英层的叠置。
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公开(公告)号：CN1763632B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510112619.2
申请日：2005-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。
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公开(公告)号：CN101052917A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580036565.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN1862377A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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公开(公告)号：CN1815361A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(－)、折射率为n(－)、消光系数为k(－)时，进行设计，使相位超前膜为k(－)＞a1·n(－)+b1，使相位滞后膜为k(－)＜a2·n(－)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝－0.116·d(+)－0.281，a2＝0.113·d(－)+0.774，b2＝－0.116·d(－)－0.281。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109244420B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811205423.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用负极材料，其包含硅复合体，该硅复合体是具有硅的微晶或微粒在与该微晶或微粒组成不同的物质中分散的结构的硅复合体，基于X射线衍射中归属于Si(220)的衍射峰的半值宽度，由Scherrer式求出的上述微晶或微粒的微晶的大小为8.0nm以下，根据本发明，能够提供具有优异的库仑效率的非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN105932268B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201610108508.2
申请日：2016-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M4/13
Abstract: 本发明提供一种可以增加电池容量并提高循环特性和电池初始效率的非水电解质二次电池用负极活性物质。为此，本发明的非水电解质二次电池用负极活性物质具有负极活性物质颗粒，所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx，且0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，负极活性物质颗粒，在至少部分表面上具有碳被膜；碳被膜，将所述碳被膜从所述负极活性物质颗粒离析并测量的由多点BET法测得的比表面积为5m2/g以上且1000m2/g以下；并且，碳被膜，将碳被膜从负极活性物质颗粒离析并测量而得的压缩电阻率在压缩至1.0g/cm3的密度时为1.0×10－3Ω·cm以上且1.0Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN105981204B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580007499.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种负极活性物质，其是非水电解质二次电池的负极材料用的负极活性物质，所述负极活性物质的特征在于，前述负极活性物质含有硅类材料SiOx，且0.5≤x≤1.6，所述硅类材料包含Li6Si2O7、Li2Si3O5、Li4SiO4中的至少1种以上；并且，在前述负极活性物质的至少一部分表层包含已结晶化的氟化合物、或具有‑CF2‑CF2‑单元的化合物，或者包含所述这两种化合物。由此，本发明提供一种负极活性物质、锂离子二次电池，所述负极活性物质在作为锂离子二次电池的负极活性物质使用时，能够增加电池容量并提高循环特性和初始充放电特性，所述锂离子二次电池具有使用此负极活性物质而成的负极电极。
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公开(公告)号：CN105981202B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201480074958.3
申请日：2014-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极，其含有多个负极活性物质，所述非水电解质二次电池用负极的特征在于，前述负极活性物质至少含有硅系活性物质SiOx及碳系活性物质，其中，0.5≤x≤1.6，并且前述硅系活性物质的内部含有Li2SiO3及Li4SiO4中的至少一种，前述硅系活性物质的表层被Li2CO3、LiF及碳中的至少一种覆盖，前述硅系活性物质相对于前述负极活性物质的总量的比是6质量％以上。由此，可以提供一种负极电极和具有此负极电极的锂离子二次电池，所述负极电极当作为锂离子二次电池的负极电极使用时，能够增加电池容量，并提高循环特性和初始充放电特性。
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公开(公告)号：CN104698737B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510140000.6
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100‑6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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