一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法

    公开(公告)号:CN116026836A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211505089.8

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明提供了一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法,属于工程光学技术领域。为解决现有技术对熔融石英元件加工表面点缺陷表征手段仅适用于表征及判别点缺陷的种类,尚无有效方法针点缺陷的相对浓度进行检测的问题。本发明通过对熔融石英光学元件加工表面微缺陷区开展光致荧光探测实验,得到缺陷区的点缺陷类型及不同点缺陷对应的子峰曲线峰面积,建立点缺陷所含孤对电子浓度与子峰曲线峰面积之间的关系,计算不同点缺陷所含孤对电子的相对浓度,结合点缺陷化学结构及反应规律计算熔融石英加工表面微缺陷区不同点缺陷的相对浓度。本发明填补了目前尚无法获得材料表面点缺陷相对浓度的技术空白。

    一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法

    公开(公告)号:CN115797283A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211505064.8

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明提供了一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法,属于工程光学技术领域。为解决现有技术泵浦‑探测超快时间分辨阴影成像实验难以识别冲击波形成初期这一关键阶段的冲击波波速;且实验过程中需要重复进行大量损伤性试验,而针对特定光学材料表面微纳缺陷,难以通过重复性、损伤性的实验来准确获取其激光损伤过程中冲击波波速的问题。本发明通过构建模型分别模拟了激光损伤初期能量沉积过程、能量传递过程和激光损伤后期高功率激光与光学材料加工表面微纳缺陷区的相互作用过程,最终得到损伤过程中不同时刻光学材料加工表面缺陷区冲击波波速。本发明填补了当前尚无法获得损伤过程中近微纳缺陷区冲击波波速的理论和技术空白。

    一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法

    公开(公告)号:CN115762684A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211505065.2

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明提供一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法,属于工程光学技术领域。为解决现有技术中对紫外光学元件激光诱导微结构的形成理论及工艺技术尚不完善,需要通过大量探索性实验对紫外光学元件激光诱导周期性结构进行研究的问题。通过对紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成机理的理论分析,通过设置等密度的离子点群建立高功率激光辐照下元件加工表面模型,采用二维分布的高斯型飞秒激光模型,基于麦克斯韦方程、牛顿‑洛伦兹方程研究了短脉冲激光与紫外光学元件表面的相互作用过程中等离子体的运动行为规律,模拟了紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成。通过本发明方法可准确模拟紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成。

    一种基于ABAQUS的各向异性KDP功能晶体材料微铣削加工过程的三维仿真方法

    公开(公告)号:CN115169198A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210905554.0

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明提供了一种基于ABAQUS的各向异性KDP功能晶体材料微铣削加工过程的三维仿真方法,属于光学元件计算机辅助设计与加工技术领域。为解决现有的仿真方法无法从三个维度精确预测各向异性KDP材料微铣削加工过程的问题。包括:步骤一、构建加工过程的三维装配模型;步骤二、设置分析步时间总长和半自动质量缩放以及设置输出变量;步骤三、构建工件的各向异性本构模型;步骤四、对铣刀和KDP晶体元件分别进行网格划分;步骤五、模拟铣刀与元件的接触状态;步骤六、约束模型自由度并设置加工工艺参数;步骤七、对模型进行求解,重复步骤二至七的操作,至仿真结果收敛;步骤八、输出仿真结果。本发明方法能够全方位精确描述向异性KDP晶体材料微铣削加工过程。

    一种基于水浴加热辅助的小球头磁流变抛光方法

    公开(公告)号:CN113752098B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202111150181.2

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 一种基于水浴加热辅助的小球头磁流变抛光方法,它属于研抛加工技术领域,具体涉及一种小球头磁流变抛光方法。本发明的目的是要解决现有小球头磁流变抛光技术加工工件时存在抛光效率较低的问题。方法:一、配置磁流变液;二、将磁流变液倒入搅拌器中;三、装卡被加工工件;四、调整抛光工具头的球心位置;五、编写加工轨迹程序,并导入机床控制软件中,调整将抛光头加工轨迹;六、调整抛光头位置;七、组装磁流变液循环回路;八、将硅胶软管放入恒温水浴锅中;九、设定恒温水浴锅的温度;十、调整恒温水浴锅的设定温度;十一、放置磁流变液挡板,开启抛光工具头主轴和工件主轴;十二、对被加工工件进行抛光。本发明主要用于小球头磁流变抛光。

    一种大口径元件表面微缺陷精确检测工艺方法

    公开(公告)号:CN114113116A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111429843.X

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 一种大口径元件表面微缺陷精确检测工艺方法,涉及工程光学技术领域,用以解决现有技术中对于大口径元件表面缺陷检测的定位精度低的问题。本发明的技术要点包括:在暗场环境下对元件表面预设扫描区域进行逐行逐列移动扫描,采集获取多个预设拍照位置的多张子孔径图像;对多张子孔径图像进行处理,获得元件表面多个缺陷区域的位置和实际尺寸。本发明采用扫描拍照的方式实现了大口径元件表面暗场图像的采集,通过图像处理实现了表面缺陷的精确提取。本发明方法易于实现自动化,可为后续缺陷点的定位与修复提供准确的位置与尺寸信息。

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