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公开(公告)号：CN114235822B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111621696.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。
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公开(公告)号：CN114324273A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111621353.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔融石英光学元件加工表面激光损伤阈值预测方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有的激光损伤阈值测试方法，会破坏熔融石英光学元件加工表面，耗费大量试验材料，且适用性不够广泛问题，本方法按以下步骤进行：步骤一、基于变激发光波长荧光探测实验，确定光学元件加工表面缺陷能级结构；步骤二、基于电子跃迁理论和原子轨道理论，建立光学元件加工表面非线性离化模型；步骤三、给定服役激光波长，计算熔融石英光学元件达到激光损伤阈值时临界自由电子密度；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各个能级电子密度随时间演变曲线；步骤五、获得熔融石英光学元件加工表面被检位置的激光损伤预测阈值。
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公开(公告)号：CN116952978A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310977239.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95 , G01N21/64 , G01N21/01 , G05B19/418
Abstract: 本发明一种基于Labview的熔石英元件表面微缺陷光致荧光检测集成控制系统及方法，涉及光学元件技术领域，为解决现有的光致荧光检测系统操作时需要分别顺序控制激光器、光谱仪和三维电动平台等硬件设施，操作繁琐、效率低及稳定性差的问题。所述系统采用Labview进行开发，包括：激光器控制模块，用于激光器的控制及参数的实时显示；运动控制模块，用于电动平台使能的控制，元件运动的控制，并对元件位置的实时显示；数据采集子模块，用于对稳态荧光光谱数据的采集；数据处理子模块，用于对数据的荧光强度信息的提取；数据存储子模块，用于对最终的荧光强度矩阵文件的存储与提取；实时成像显示模块，用于稳态荧光光谱及探测区域的实时成像显示。
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公开(公告)号：CN114235822A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111621696.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。
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公开(公告)号：CN116754565B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310977429.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明一种光学元件全口径表面微缺陷光致荧光检测用自动对焦检测方法，涉及光学元件技术领域，为解决现有的对焦检测方法，需要手动对焦及检测，效率低，且无法保证检测结果的准确性和一致性的问题。包括如下步骤：一、安装物镜与待测光学元件；二、确定待检测区域内多个标定检测点坐标，构建检测物镜焦平面方程，制定检测扫描路径；三、控制元件沿检测扫描路径移动进行检测，判断待测点是否处于物镜焦平面，若是，则在该点进行扫描检测，若不是，则计算补偿量并控制移动平台在调焦方向对元件进行距离补偿；四、实时保存光谱信息及检测成像信息；五、根据检测扫描路径判断检测是否结束。实现了光学元件表面微缺陷光致荧光检测的自动对焦及检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115854924A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211505077.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明提供一种紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度的预测方法，属于工程光学技术领域。为解决现有技术采用实验方式对紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度进行预测，由于检测装置性能的限制无法精确获得损伤初期等离子体喷溅行为；且对于特定表面微纳缺陷无法重复进行损伤性实验，无法有效预测其激光损伤过程中材料喷溅角度的问题。通过对激光损伤过程中材料喷溅的形成机理进行分析，采用等密度的离子点群模拟紫外光学元件加工表面微纳缺陷区，基于麦克斯韦、牛顿‑洛伦兹物理方程研究高功率激光辐照下缺陷区等离子体演变过程并获得激光损伤过程中材料喷溅角度。通过本发明方法可准确获得紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度。
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公开(公告)号：CN114324393A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111621354.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积计算方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有技术缺乏有效的方法用于计算或表征熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积的问题；本发明按如下步骤进行：步骤一确定熔融石英光学元件加工表面缺陷区缺陷能级结构；步骤二、获取熔融石英光学元件加工表面缺陷区和无缺陷区受激发产生的荧光发射光谱荧光强度；步骤三、建立光学元件加工表面缺陷区材料非线性离化模型；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各能级电子密度随时间演变曲线及能量沉积过程中产生的温度；步骤五、获取表征熔融石英光学元件加工表面引发激光损伤初期能量沉积过程的温度和自由电子密度。
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公开(公告)号：CN114264640A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111621697.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，它属于工程光学领域。本发明为解决现有技术中缺乏有效的微观光伤点缺陷精确辨识与检测方法的问题，本发明包括如下步骤：步骤一、确定元件加工表面尺寸最大的表面结构缺陷并完成定位；步骤二、获取步骤一定位的缺陷受不同波长激发光作用下产生的荧光发射光谱峰值强度，确定峰值强度最高的激发光波长为最佳激发光波长；步骤三、确定最佳缺陷位置；步骤四、对最佳缺陷位置受激发产生的荧光发射光谱进行高斯谱线拟合分析，确定微观光伤点缺陷的种类和权重大小；步骤五、建立元件加工表面缺陷区微观光伤点缺陷之间的演变规律及对步骤四的结果进行验证。
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公开(公告)号：CN114324273B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111621353.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔融石英光学元件加工表面激光损伤阈值预测方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有的激光损伤阈值测试方法，会破坏熔融石英光学元件加工表面，耗费大量试验材料，且适用性不够广泛问题，本方法按以下步骤进行：步骤一、基于变激发光波长荧光探测实验，确定光学元件加工表面缺陷能级结构；步骤二、基于电子跃迁理论和原子轨道理论，建立光学元件加工表面非线性离化模型；步骤三、给定服役激光波长，计算熔融石英光学元件达到激光损伤阈值时临界自由电子密度；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各个能级电子密度随时间演变曲线；步骤五、获得熔融石英光学元件加工表面被检位置的激光损伤预测阈值。
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公开(公告)号：CN114324393B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111621354.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积计算方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有技术缺乏有效的方法用于计算或表征熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积的问题；本发明按如下步骤进行：步骤一确定熔融石英光学元件加工表面缺陷区缺陷能级结构；步骤二、获取熔融石英光学元件加工表面缺陷区和无缺陷区受激发产生的荧光发射光谱荧光强度；步骤三、建立光学元件加工表面缺陷区材料非线性离化模型；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各能级电子密度随时间演变曲线及能量沉积过程中产生的温度；步骤五、获取表征熔融石英光学元件加工表面引发激光损伤初期能量沉积(56)对比文件赵兴海;高杨;徐美健;段文涛;於海武.纳秒激光诱导石英光纤端面损伤特性研究.物理学报.2008,(第08期),第5027-5034页.
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