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公开(公告)号:CN111937489A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN201880091987.9
申请日:2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接,与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层CM1/CM2。
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公开(公告)号:CN111919510A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN201880091929.6
申请日:2018-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在显示设备中,第二配线(SH)延伸显示区域,向第二配线(SH)的延伸方向,从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交,第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。
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公开(公告)号:CN111902855A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201880091769.5
申请日:2018-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在形成由第一金属层构成的多个控制线(G)的工序中,形成将相邻的控制线彼此局部连接的第一金属层分支线(Ga)。在形成由第二金属层构成的多个电源线(P)的工序中,形成经由第一绝缘膜(18)的通孔而使电源线与第一金属层分支线连接的第二金属层连接部(Pb)。将控制线/电源线与显示区域(55)外的电路元件(57)连接,使第一金属层分支线/第二金属层连接部切割。
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公开(公告)号:CN111165073A
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN201780095348.5
申请日:2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种显示器件,具备多个图像元素,在多个图像元素中分别形成阳极(22),以形成阳极(22)的开口的方式形成覆盖阳极(22)的外周的覆盖层(23A),覆盖层(23A)与相邻的其他阳极(22)的覆盖层(23A)相互分离。
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公开(公告)号:CN111149431A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201780095314.6
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明以减少和端子部连接的布线与像素电极短路的可能性作为目的而提供显示设备(2),具备:第一引绕布线(45),其与平坦化膜(21)的端部交叉,并从显示区域(DA)向边框区域(NA)延伸;第二引绕布线(44),其与比上述第一引绕布线(45)靠上层的形成于第二电极(25)的周围的第一堤(23a)接触,并与上述第一堤(23a)交叉而向端子部延伸;以及第一布线接触部(42),其在上述平坦化膜(21)的端部与上述第一堤(23a)之间,将上述第一引绕布线(45)与上述第二引绕布线(44)连接。
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公开(公告)号:CN111096071A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201780094363.8
申请日:2017-09-04
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置(1),具有:药液处理槽(20),其在内部输送基板(2);和喷射部(21),其配置在药液处理槽(20)的内部,具有朝向与基板(2)的表面不相交的方向的吹出口(22),并且通过吹出口(22)喷射雾状的蚀刻剂药液(22)。
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公开(公告)号:CN110036318A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201780075336.6
申请日:2017-12-07
Abstract: 本发明提供一种材料,其为黑矩阵用的组合物,其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物,其特征在于,含有:(I)包含体积平均粒径为1~300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
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公开(公告)号:CN108780621A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201780018517.5
申请日:2017-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置,在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生,并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下,在用于保护TFT的钝化膜形成之后,在200~350℃下进行退火,并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是,不仅能够抑制ESD的发生,而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路,所以能够降低显示装置的制造成本。
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公开(公告)号:CN101606186B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200880004648.9
申请日:2008-01-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09F9/00 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/1303 , G02F2001/133302 , Y10T428/266
Abstract: 本发明提供显示器件的制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法的目的是提供能够以低成本容易地在基板上形成显示元件的器件制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法包括:第一步骤,准备第一基板(11),该第一基板(11)具有预定蚀刻的第一区域(13)和设置在第一区域的周边的第二区域(14)、并且在表面形成有显示元件(12);第二步骤,将第一基板(11)的第一区域(13)蚀刻除去;第三步骤,在第一基板(11)的显示元件形成面的相反一侧表面上形成第二基板(18);和第四步骤,将第一基板(11)的第二区域(14)除去。
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公开(公告)号:CN102473362A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080029906.6
申请日:2010-03-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/42384
Abstract: 包括如下工序:在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序;形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序;形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序;在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后,对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序;和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。
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