公开(公告)号：CN103038888A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN103003860A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC classification number: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN102741449A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008362.X

申请日：2011-02-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/14 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。

公开(公告)号：CN102265323A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201080003695.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  越智元隆 ,  大西隆 ,  钉宫敏洋

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C23C14/025 ,  C23C14/14 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。

公开(公告)号：CN102041479A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010522145.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  岩崎祐纪 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠 ,  小林宣裕 ,  奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。

公开(公告)号：CN101220458B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200710193219.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  得平雅也 ,  钉宫敏洋 ,  米田阳一郎 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  Y10T428/12229

Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。

公开(公告)号：CN101281913A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810100518.7

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at％的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at％的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at％的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN101220458A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710193219.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  得平雅也 ,  钉宫敏洋 ,  米田阳一郎 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  Y10T428/12229

Abstract: 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。

公开(公告)号：CN100392505C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510118731.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  高木胜寿 ,  中井淳一

IPC: G02F1/1343 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  G02F2001/136295 ,  H01J29/02 ,  H01J2211/225 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3 (1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5 (3)。其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。

公开(公告)号：CN1917219A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610114892.3

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。