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公开(公告)号：CN101074369A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710072412.6
申请日：2007-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/56
Abstract: 一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法，它涉及一种稀磁半导体量子点及其制备方法。它解决了目前钴离子掺杂量子点的方法都无法将钴离子掺杂到CdS量子点晶格内部，无法得到晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点的问题。晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点是钴离子掺杂摩尔浓度为0.076～0.185的CdS量子点。制备方法：一、十六烷基胺真空脱气；二、降温在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]和(Me4N)2[Co4(SC6H5)10]加入，然后升温；三、待达到设定颗粒尺寸，降温；四、离心分离、沉淀物再真空干燥；五、表面配体交换。本发明晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点在室温条件下兼具荧光和磁性双重特性。
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公开(公告)号：CN101024902A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号：CN1726885A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510010217.1
申请日：2005-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: TiNi基药物洗脱支架及其制备方法，涉及一种医用器械及其制备方法。本发明为解决现有的不锈钢血管支架容易导致局部出现炎症反应等问题。TiNi基药物洗脱支架，制备基体支架的材料为TiNi形状记忆合金，钛镍两种元素的重量百分比在40∶60～50∶50之间；TiNi基药物洗脱支架的制备方法，该方法依次包括制造基体支架和在基体支架上浸渍药物涂层的过程，制备基体支架的过程依次为管材的挤压、毛细管材激光切割、扩径与热处理、电化学处理及其清洗，然后通过常规方法在所得到的基体支架上浸渍药物即可。本发明的洗脱支架有良好的生物相容性和柔韧性、极小的促凝作用、支撑力强且在X射线下容易观察利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1569261A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410013749.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚L－乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，它涉及一种聚L－乳酸的新用途。现有技术都认为聚L－乳酸不可能作为形状记忆聚合物得到实际应用，尤其是在医用可降解形状记忆材料方面无法应用。本发明就提供了一种聚L－乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，将聚L－乳酸在温度为190～210℃、压力为2～10MPa下成型成初始形状，即得到具有形状记忆特性的聚L－乳酸，所得聚L－乳酸可用于医用形状记忆材料。本发明首次将聚L－乳酸作为医用可降解形状记忆材料，在微创介入支架、血管接合、手术缝合线、骨折固定等方面有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN119433596A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411452413.3
申请日：2024-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/061 , C22C1/08 , B22F3/105 , B22F9/04 , C22C14/00
Abstract: 一种高效稳定的TiNi合金基多孔复合结构电催化电极的制备方法，它涉及电催化电极的制备方法。本发明要解决现有析氢电催化电极无法同时具备高制氢效率、低成本及杰出稳定性能的问题。制备方法：一、偏铝酸钠造孔剂预处理；二、球磨混合；三、多孔TiNi基合金的制备；四、催化活性层的复合。本发明用于高效稳定的TiNi合金基多孔复合结构电催化电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119194498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411316307.2
申请日：2024-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04 , C01G51/04
Abstract: 一种金属原子掺杂四氧化三钴电解水催化剂的制备方法，它涉及电解水催化剂的制备方法。本发明要解决现有利用贵金属及其化合物制备的电解水析氧催化剂成本高，在酸性环境下反应缓慢，过电位较高的问题。制备方法：一、将硝酸钴溶于溶剂中搅拌均匀；二、将金属盐加入到溶剂中搅拌均匀；三、依次滴加到碳布表面，然后加热保温，保温后空气中冷却。本发明用于金属原子掺杂四氧化三钴电解水催化剂的制备。
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公开(公告)号：CN118531437A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410801469.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 一种银/金属氢氧化物异质结构电解水析氢催化剂的制备方法，它涉及电解水析氢催化剂的制备方法。本发明要解决现有银基催化剂氢吸附能较弱，降低了其电催化析氢活性的问题。方法：一、将硝酸银溶液和镍盐加入到溶剂中搅拌均匀；二、加入硼氢化钠，然后在室温条件下搅拌，最后过滤干燥。本发明用于银/金属氢氧化物异质结构电解水析氢催化剂的制备。
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公开(公告)号：CN118475211A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410254285.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法，本发明属于热电器件技术领域。本发明要解决现有Mg3(Sb,Bi)2基Zintl相热电材料化学稳定性较差的问题。方法：一、制备Mg3.2Sb0.5Bi1.49Te0.01Alx粉末；二、制备Fe箔/n型Mg3(Sb,Bi)2/Fe箔长条试件；三、制备Mg3(Sb,Bi)2/碲化铋制冷器件。本发明用于兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备。
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公开(公告)号：CN116180138A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310184564.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/075 , C25B11/031 , C25B11/065 , C25B1/04 , C01G53/04 , C01G49/00 , C01G49/02
Abstract: 一种利用阳离子交换法制备高效自支撑析氧电催化剂的方法，本发明涉及一种析氧电催化剂的制备方法。解决现有镍铁双氢氧化物导电性较差且活性位点少的问题。制备方法：一、利用水热法制备前驱体；二、化学浴浸泡前驱体。本发明用于利用阳离子交换法制备高效自支撑析氧电催化剂。
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公开(公告)号：CN116145177A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310205183.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/077 , C25B1/04 , C25B11/065 , C25B11/061
Abstract: 一种CuCoNiMoFe多元氧化物电解水催化剂的制备方法，本发明涉及过渡族金属基多元氧化物电解水催化剂的制备方法。解决现有过渡族金属基多元氧化物制备工艺繁琐的问题。制备方法：一、称取；二、前驱体溶液滴在基底上，然后干燥；三、碳热冲击处理。本发明用于CuCoNiMoFe多元氧化物电解水催化剂的制备。
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