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公开(公告)号：CN113555454A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110736248.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种光探测器，自上而下包括光反射单元、光探测单元和滤波单元，光反射单元的中心、光探测单元的中心与滤波单元的中心位于同一直线上，光反射单元、光探测单元以及滤波单元关于直线镜像对称，光反射单元包含对称斜反射结构，对称斜反射结构的反射率不小于预设反射率，对称斜反射结构的斜反射角度不小于预设角度，光探测单元包含光吸收层，滤波单元包含第一反射镜和第二反射镜，第一反射镜和第二反射镜平行相对放置。本发明通过多次吸收增强效应和独立的滤波选择特性，极大缓解了量子效率、响应速度和光谱线宽三者之间的相互制约关系，实现易集成、超窄光谱线宽、大调谐范围、高量子效率和高响应速度等特性。
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公开(公告)号：CN113540976A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110805761.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，所述激光器包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述衬底朝向第一表面一侧的器件堆叠结构；其中，所述器件堆叠结构包括：设置在所述衬底朝向所述第一表面一侧的N型DBR层；设置在所述N型DBR层背离所述衬底一侧的有源区；设置在所述有源区背离所述N型DBR层一侧的P型DBR层；设置在所述P型DBR层背离所述有源区一侧的模式滤波器结构，所述模式滤波器结构包括具有出光孔的反相层。应用本发明技术方案，实现垂直腔面发射激光器的单模输出，降低了光学损耗以及阈值电流，提高了调制速率，进而提高了激光器的整体性能。
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公开(公告)号：CN112234097A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN109873296B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN111223955A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107508142B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710804830.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述两块平面反射镜相对于所述底部反射镜具有相同倾角；所述底部反射镜为平面反射镜。本发明通过使谐振腔具有倾斜的顶部反射镜，使得垂直于底部反射镜的入射光束在谐振腔内行进过程中自再现时光程增加，与平行平面谐振腔具有不同的谐振条件，可获得较小的线宽和较大的Q值，并且将光场能量有效地控制在一定的区域内，减小了衍射损耗。
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公开(公告)号：CN108535801A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810240360.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明实施例提供了一种光学滤波器，包括：第一反射镜，以及至少包含一第二反射镜的法布里-珀罗谐振腔，第一反射镜的反射率大于第一预设值；第二反射镜的中心波长位于第一反射镜的反射谱中以预设波长为中心的第一预设波长范围内；第一反射镜设置在法布里-珀罗谐振腔内，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，光学优化层用于使光学滤波器在反射光谱区内包含预设波长的第二预设波长范围内的反射率小于第二预设值。本发明实施例提供的一种光学滤波器，通过在第一反射镜外嵌套一低Q值法布里-珀罗谐振腔，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，可以将一定波长范围内的光通过反射镜的反射和透射分为两部分，实现不同波长的光的分离。
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公开(公告)号：CN108418095A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01S5/34 , C23C16/042 , C23C16/301
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n-InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN108376640A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810018868.2
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种InGaAs/Si外延材料的制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底上制作InGaAs低温成核层，所述InGaAs低温成核层的温度为410～430℃，利用MOCVD方法制作；在所述InGaAs低温成核层上制作InGaAs高温外延层，以完成对InGaAs/Si外延材料的制备，所述InGaAs高温外延层利用MOCVD方法制作。本发明提供的InGaAs/Si外延材料的制备方法，通过设置采用MOCVD方法先制成低温成核层，再制成高温外延层，仅用以上两步完成对InGaAs/Si外延材料的制备，具有成本低，更适合产业化的需求的有益之处，相较于现有技术中采用MBE生长InxGa1-xAs等缓冲层，使用超晶格位错阻挡层以及选区外延等方法，本发明采用MOCVD仅用两步完成InGaAs/Si材料的制备，使得本发明的制备方法工艺简单，适合于大批量生长。
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公开(公告)号：CN107992659A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711189391.6
申请日：2017-11-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法，包括：S1，基于分数维度电子态系理论，根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子；载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比；S2，调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取有源区优化厚度，即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的-3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度；S3，基于有源区优化厚度设计超辐射发光二极管。本发明提供的方法，通过优化有源区厚度增大了功率带宽乘积，有效地提高了超辐射发光二极管的综合性能。
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