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公开(公告)号：CN1684229A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064908.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了包括自组装分子层的掩膜图案、形成它的方法和制造半导体器件的方法。掩膜图案包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。为形成掩膜图案，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开孔的抗蚀图案以暴露底层至第一宽度。然后，在抗蚀图案的表面上选择性地形成自组装分子层以暴露底层至比第一宽度小的第二宽度。使用抗蚀图案和自组装分子层作为蚀刻掩膜蚀刻底层，从而得到精细图案。
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公开(公告)号：CN1752846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101393203A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149226.2
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N33/50
CPC classification number: G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4146 , H01L51/0595 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 实例性实施方式涉及用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法。根据实例性实施方式的生物传感器包括多个绝缘膜。第一信号线和第二信号线可插入到多个绝缘膜之间。半导体纳米结构可设置在多个绝缘膜上，半导体纳米结构具有电连接到第一信号线的第一侧和电连接到第二信号线的第二侧。多个探针可耦合到半导体纳米结构。根据实例性实施方式的生物传感器可具有减少的分析时间。
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公开(公告)号：CN101298464A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810009721.3
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07H19/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C07D215/14 , C07F9/2408 , C07F9/60 , C07F9/65515 , C07H21/00 , C40B50/14 , Y02P20/55 , Y10T436/143333
Abstract: 公开了一种对光不稳化合物、低聚物探针阵列、和包括对光不稳化合物的用于低聚物探针阵列的基片、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101294216A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810009726.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00659 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B82Y30/00 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/18 , C40B80/00 , Y10T428/31504
Abstract: 公开了一种衬底结构、低聚物探针阵列及其制造方法。该衬底结构可以包括衬底和衬底上的包括由下面的结构式1表示的化学结构的中间膜。 (其中R1是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基，R2是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基，和X直接或经由固定层而与衬底耦合)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101221121A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710307759.4
申请日：2007-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00382 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00659 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C40B50/18
Abstract: 一种制造微阵列的方法，包括提供基板，该基板具有采用酸不稳定保护基团保护的官能团固定且能够与低聚物探针偶联的表面；将光酸产生剂提供到基板上；在基板上设置包括凸起区和围绕凸起区的多个凹面区的印记模板，以使得该凸起区接触或邻接基板的上表面以由基板的上表面和印记模板的凸起区和凹面区限定多个反应区；将一个或多个反应区暴露到光以使得在一个或多个暴露的反应区中由光酸产生剂产生酸并且由酸除去对所述一个或多个暴露的反应区中的官能团的保护；以及将低聚物探针提供到基板上以使得低聚物探针与已除去保护的官能团偶联。
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公开(公告)号：CN101067606A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100998.2
申请日：2007-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00317 , B01J2219/00605 , B01J2219/00662 , B01J2219/00722
Abstract: 一种即使当采用的减小的设计规则时也具有提高的信噪比和希望的探测灵敏度的低聚物探针阵列，包括衬底、在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区，该多个探针单元有源区的每一个具有三维表面并与具有其自己序列的至少一个低聚物探针耦合、以及限定探针单元有源区并且没有与表面上的低聚物探针耦合的官能团的探针单元隔离区。
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公开(公告)号：CN1734352A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶－凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN101206215B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200710159942.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01L3/508 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , B01L2300/041 , B01L2300/0636 , B01L2300/0822
Abstract: 本发明提供一种生物芯片套件，包括：第一壳体；放置在第一壳体中并且构造成包括多个分子探针的生物芯片；以及与第一壳体结合并且构造成与第一壳体形成反应空间并且覆盖该生物芯片的第二壳体，其中第二壳体和第一壳体在构造上可移动地结合，从而可以暴露生物芯片的上表面。还提供一种使用该生物芯片套件来测试生物样品的方法。
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公开(公告)号：CN101298464B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810009721.3
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07H19/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C07D215/14 , C07F9/2408 , C07F9/60 , C07F9/65515 , C07H21/00 , C40B50/14 , Y02P20/55 , Y10T436/143333
Abstract: 公开了一种对光不稳化合物、低聚物探针阵列、和包括对光不稳化合物的用于低聚物探针阵列的基片、及其制造方法。
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