公开(公告)号：CN110875342A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。

公开(公告)号：CN104051483A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410053535.5

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴敏锡 ,  孔海庆 ,  金泰瓒 ,  安正言卓 ,  林茂燮

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641

Abstract: 提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。