公开(公告)号：CN110875342B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/47

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。

公开(公告)号：CN116705812A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310204040.7

申请日：2023-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  金宰浩 ,  权义熙 ,  宋义永

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离区段，其穿透衬底并且将构成第一像素组、第二像素组和第三像素组的多个像素分离，第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个包括按照n列m行排列的像素；遮光栅格，其在所述第一表面上，并且与像素隔离区段重叠；以及光调制器，其在所述第一表面上，并且在第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个的中心上与像素隔离区段重叠。遮光栅格在第一方向上具有第一宽度。光调制器在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN110875342A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。