公开(公告)号：CN116913931A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310347222.X

申请日：2023-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张敬恩 ,  金声仁 ,  高圣勳 ,  金东炫 ,  李旭

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/616 ,  H04N25/76

Abstract: 公开图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括具有像素区域的基底和设置在像素区域中的晶体管，在像素区域中限定具有由局部切口空间限制的局部不对称鳍区域的有源区域。晶体管包括水平栅极部分和竖直栅极部分，水平栅极部分设置在有源区域上，竖直栅极部分填充局部切口空间并面对局部不对称鳍区域的鳍侧壁之一。形成在有源区域中的源极区域和漏极区域距局部不对称鳍区域的距离彼此不同。所述电子系统包括至少一个相机模块和处理器，所述至少一个相机模块包括图像传感器，处理器被配置为处理从所述至少一个相机模块提供的图像数据。

公开(公告)号：CN110875342B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/47

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。

公开(公告)号：CN117374092A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310839733.3

申请日：2023-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  高圣勋 ,  金宰浩

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 一种图像传感器包括双竖直栅极和器件隔离层，双竖直栅极包括在第一方向上通过隔离区域彼此隔开并且竖直地延伸至衬底中的两个竖直部分、被配置为在两个竖直部分上将两个竖直部分彼此连接的连接部分，器件隔离层在竖直部分的在第一方向上的侧表面上，其中，两个竖直部分中的每一个包括上竖直部分和下竖直部分，上竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第一倾角，下竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第二倾角，并且第一倾角与第二倾角不同。

公开(公告)号：CN116995082A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310150204.2

申请日：2023-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣勳 ,  金宰浩 ,  权義熙 ,  李旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括彼此相邻的第一像素区域和第二像素区域，基底包括彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离图案，位于基底中以限定第一像素区域和第二像素区域；传输栅极，在第一像素区域中位于基底的第一表面上；浮置扩散区域，与传输栅极的一侧相邻；第一地掺杂剂区域，在第一像素区域中与基底的第一表面相邻；以及第二地掺杂剂区域，在第二像素区域中与基底的第一表面相邻。第一地掺杂剂区域的底表面位于比浮置扩散区域的底表面低的水平处。

公开(公告)号：CN110875342A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。