公开(公告)号：CN108538804A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810251036.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN115513207A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210649266.3

申请日：2022-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金铉用 ,  李相昊 ,  安容奭 ,  崔宰福

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：器件隔离图案，在基板中并限定彼此间隔开的第一有源部分和第二有源部分，其中第一有源部分的中心邻近第二有源部分的端部；跨越第一有源部分的中心的位线；在位线和第一有源部分之间的位线接触；以及在第二有源部分的该端部上的第一存储节点焊盘。第一存储节点焊盘包括第一焊盘侧壁和第二焊盘侧壁。第一焊盘侧壁邻近位线接触。第二焊盘侧壁与第一焊盘侧壁相反。当在平面图中观看时，第二焊盘侧壁在远离位线接触的方向上是凸起的。

公开(公告)号：CN115411039A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210591218.3

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金孝燮 ,  崔宰福 ,  安容奭 ,  安濬爀 ,  李基硕 ,  李明东 ,  崔允荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。

公开(公告)号：CN113972212A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110830313.X

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠远 ,  金恩靓 ,  成金重 ,  崔宰福

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区、外围区和单元区与外围区之间的边界区；单元器件隔离图案，其位于衬底的单元区上，以限定单元有源图案；外围器件隔离图案，其位于衬底的外围区上，以限定外围有源图案；以及绝缘隔离图案，其位于衬底的边界区上，所述绝缘隔离图案在单元有源图案与外围有源图案之间，其中，绝缘隔离图案的底表面包括：第一边缘，其邻近于单元有源图案中对应的一个的侧表面，以及第二边缘，其邻近于外围有源图案中对应的一个的侧表面，当从衬底的底表面测量时，第一边缘位于低于第二边缘的高度。

公开(公告)号：CN103794605B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN103377905B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN103794605A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。