公开(公告)号：CN215496716U

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202121277841.9

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵相渊 ,  金森宏治 ,  郑光泳 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 半导体器件包括：衬底，包括第一板部分和第二板部分；堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的层间绝缘层和栅电极；在第一板部分上的第一块分隔结构和在第二板部分上的第二块分隔结构，第一块分隔结构和第二块分隔结构中的每个包括第一分隔区域；单元阵列分隔结构，包括连接到第一分隔区域的第二分隔区域；以及穿透堆叠结构的沟道结构，其中，堆叠结构包括：第一堆叠结构，通过第一块分隔结构的第一分隔区域分开并在第一方向上延伸；第二堆叠结构，通过第二块分隔结构的第一分隔区域分开；以及至少一个第三堆叠结构，通过单元阵列分隔结构与第一堆叠结构和第二堆叠结构分开。