公开(公告)号：CN112563242A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010776850.6

申请日：2020-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘承勇 ,  李钟振 ,  金洛焕 ,  郑恩志 ,  洪元赫

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。

公开(公告)号：CN100481348C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。