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公开(公告)号：CN112992686A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010945564.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。
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公开(公告)号：CN106952892A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610934242.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L23/53266 , H01L23/53228
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。
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公开(公告)号：CN116417508A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211663612.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/41
Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：下线结构；上层间绝缘膜，其设置在下线结构上并且具有形成在其中的沟槽，其中，沟槽包括布线沟槽和从布线沟槽延伸到下线结构的穿通件沟槽；以及上线结构，其设置在沟槽中，其中，上线结构包括上势垒膜和上填充膜。上填充膜包括与上层间绝缘膜接触的第一子填充膜和设置在第一子填充膜上的第二子填充膜。第一子填充膜填充整个上穿通件沟槽并且覆盖上布线沟槽的底表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107665855A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/528 , H01L21/764
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN114121934A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110532732.5
申请日：2021-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952892B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610934242.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。
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公开(公告)号：CN1790634A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510091182.9
申请日：2005-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。
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公开(公告)号：CN107665855B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN116207071A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211483155.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。
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公开(公告)号：CN116207070A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211395917.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。该半导体装置包括：下布线结构；上层间绝缘层，设置在下布线结构上且包括上布线沟槽，上布线沟槽暴露下布线结构的部分；以及上布线结构，包括上衬和在上布线沟槽中在上衬上的上填充层，其中，上衬包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部和沿着上布线沟槽的底表面延伸的底部，上衬的侧壁部包括钴(Co)和钌(Ru)，并且上衬的底部由钴(Co)形成。
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