公开(公告)号：CN112055400B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010471392.5

申请日：2020-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔佑宁 ,  金东润 ,  伊万·加尔金 ,  朴知勋 ,  李钟振

IPC: H04W52/02 ,  H04W76/28 ,  H04W4/70

Abstract: 一种电子设备，包括：窄带物联网(NB‑IoT)电路；用于控制窄带物联网电路的共享中央处理器；用于存储来自共享中央处理器的数据或代码的共享存储器；以及由共享中央处理器控制的通信装置。该通信装置将数据或代码存储在共享存储器中。

公开(公告)号：CN117747539A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311210836.X

申请日：2023-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  金泰善 ,  洪元赫 ,  尹承灿 ,  徐康一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区，半导体区在第一方向上延伸；在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中底部绝缘体可以包括第一部分和第二部分以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构分别与第一部分和第二部分重叠；用底部半导体层替换底部绝缘体的第三部分；在第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构之间形成源极/漏极区；用背面绝缘体替换衬底和半导体区；在背面绝缘体中形成电源接触，其中源极/漏极区可以与电源接触重叠；以及形成电源轨。

公开(公告)号：CN114121934A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110532732.5

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  金京旭 ,  金洛焕 ,  刘承勇 ,  郑恩志

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。

公开(公告)号：CN118213342A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311726045.2

申请日：2023-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  白在职 ,  郑明勋 ,  徐康一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件及制造集成电路器件的方法。该方法包括形成半导体器件，其中半导体器件具有一个或更多个源极/漏极结构、一个或更多个沟道结构，并且其中衬底在半导体器件的第一侧上。该方法还包括形成后段(BEOL)区域，以及在衬底中且与半导体器件的第一源极/漏极结构接触地形成瓶颈形背面接触结构，其中瓶颈形背面接触结构具有与第一源极/漏极结构接触的第一侧、与背面电源轨接触的第二侧、以及从第一源极/漏极结构延伸到背面电源轨的侧壁；并且其中背面接触结构具有拥有正斜率的第一区域和与第一区域相邻的无斜率的第二区域。

公开(公告)号：CN117790504A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311256020.0

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  洪元赫 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法。该场效应晶体管结构包括：沟道结构；通过所述沟道结构彼此连接的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第一接触插塞，在第一源极/漏极区的顶表面上，通过后段工艺(BEOL)结构连接到第一电压源或第一电路元件；以及第二接触插塞，在第二源极/漏极区的底表面上，通过背侧电源轨连接到所述第一电压源或另一电路元件，其中第一源极/漏极区和第二源极/漏极区具有基本相同的高度。

公开(公告)号：CN116207070A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211395917.7

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  刘承勇 ,  郑恩志

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。该半导体装置包括：下布线结构；上层间绝缘层，设置在下布线结构上且包括上布线沟槽，上布线沟槽暴露下布线结构的部分；以及上布线结构，包括上衬和在上布线沟槽中在上衬上的上填充层，其中，上衬包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部和沿着上布线沟槽的底表面延伸的底部，上衬的侧壁部包括钴(Co)和钌(Ru)，并且上衬的底部由钴(Co)形成。

公开(公告)号：CN112563242A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010776850.6

申请日：2020-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘承勇 ,  李钟振 ,  金洛焕 ,  郑恩志 ,  洪元赫

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。

公开(公告)号：CN119179359A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410800241.8

申请日：2024-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景洙 ,  金秀容 ,  李永勳 ,  李钟振 ,  许峻豪

IPC: G05F1/56

Abstract: 提供了一种动态电压频率调节控制器、操作其的方法和集成电路。所述集成电路包括：至少一个子块电路，被配置为处理指令；以及DVFS控制器，被配置为：基于从由包括电源管理单元(PMU)、电力输送网络(PDN)和子块电路的整个电源系统的动态特性产生的频率响应计算的谐振频率，来控制PMU和时钟管理单元(CMU)分别控制操作电压和操作频率。

公开(公告)号：CN119133178A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410758369.2

申请日：2024-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  徐康一 ,  朴判济 ,  金泰善 ,  洪元赫

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括在水平方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；背面配电网络结构(BSPDNS)；在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区与BSPDNS之间的基板；在基板中并被第一源极/漏极区重叠的背面接触；在基板中并被第二源极/漏极区重叠的占位器；以及在背面接触和占位器之间在基板中的腔。

公开(公告)号：CN118738050A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410355860.0

申请日：2024-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  洪元赫 ,  李钟振 ,  徐康一

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8232

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括背侧配电网络结构(BSPDNS)、在BSPDNS上的逻辑器件区和无源器件区、背侧绝缘层和坝，背侧绝缘层包括在BSPDNS和逻辑器件区之间延伸的第一部分以及在BSPDNS和无源器件区之间延伸的第二部分，无源器件区包括在背侧绝缘层中的半导体层，坝将背侧绝缘层的第一部分与无源器件区的半导体层分开。