公开(公告)号：CN118782388A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311394395.3

申请日：2023-10-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  金润 ,  权亨纯 ,  南光熙 ,  尹硕晛

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468 ,  C01G23/00

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，介电层包括多个介电晶粒，内电极与介电层交替设置；以及外电极，设置在主体上并且连接到内电极。所述多个介电晶粒中的至少一个包括Ba、Ti、Sn和稀土元素，并且具有核‑双壳结构，所述核‑双壳结构包括核、设置在所述核的至少一部分上的第一壳以及设置在所述第一壳的至少一部分上的第二壳。当包括在所述第一壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S1、包括在所述第二壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S2、包括在所述第一壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R1并且包括在所述第二壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R2时，满足S1>S2且R2>R1。

公开(公告)号：CN111517780B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910999590.6

申请日：2019-10-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 权亨纯 ,  朴宰成 ,  崔民英 ,  尹基明 ,  金亨旭 ,  咸泰瑛 ,  白承仁

IPC: H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡(BaTiO3)基基体材料主成分和副成分，并且所述副成分包括作为稀土元素的三价镧系稀土元素A和铽(Tb)，并且铽(Tb)的含量与所述三价镧系稀土元素A的含量的摩尔比(Tb/A)满足0.15≤Tb/A

公开(公告)号：CN112542317B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202010596105.3

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴宰成 ,  金亨旭 ,  权亨纯 ,  金锺翰 ,  金正烈

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开涉及一种介电组合物、介电材料和多层电子组件。所述介电组合物包括：主成分，包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一种；第一副成分，包含稀土元素；以及第二副成分，包含可变价受体元素和固定价受体元素中的至少一种。当将所述稀土元素的含量之和定义为DT并且将所述可变价受体元素和所述固定价受体元素的含量之和定义为AT时，(DT/AT)/(Ba+Ca)满足大于0.5且小于6.0。

公开(公告)号：CN116364419A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210961789.1

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  朴宰成 ,  李种皓 ,  张银河 ,  李钟焕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分；以及副成分，包括稀土元素，其中，所述稀土元素包括Dy和Eu，基于100摩尔的BaTiO3基主成分，Dy和Eu摩尔含量满足条件0.10

公开(公告)号：CN112542317A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010596105.3

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴宰成 ,  金亨旭 ,  权亨纯 ,  金锺翰 ,  金正烈

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开涉及一种介电组合物、介电材料和多层电子组件。所述介电组合物包括：主成分，包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一种；第一副成分，包含稀土元素；以及第二副成分，包含可变价受体元素和固定价受体元素中的至少一种。当将所述稀土元素的含量之和定义为DT并且将所述可变价受体元素和所述固定价受体元素的含量之和定义为AT时，(DT/AT)/(Ba+Ca)满足大于0.5且小于6.0。

公开(公告)号：CN116387040A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211724281.6

申请日：2022-12-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴宰成 ,  金亨旭 ,  李济熹 ,  全炯俊 ,  李种晧

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 公开了一种介电组合物和包括介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分；第一副成分，包括稀土元素；以及第二副成分，包括Ba和Ca中的至少一种，其中，所述稀土元素包括Tb和Dy，所述第一副成分和所述第二副成分满足摩尔含量条件0.40

公开(公告)号：CN110803927B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201811406752.2

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔民英 ,  金亨旭 ,  尹基明 ,  咸泰瑛 ,  权亨纯

IPC: C04B35/49

Abstract: 本发明提供一种介电组合物以及使用该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包括：基体材料粉末，包括(Ca1‑xSrx)(Zr1‑yTiy)O3，其中，0

公开(公告)号：CN114597065A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111381983.4

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴宰成 ,  朴柾玧 ,  金亨旭 ,  金锺翰 ,  李忠垠

IPC: H01G4/06 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 提供一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括：BaTiO3基主成分；第一副成分，包括Nb成分和Gd成分；第二副成分，包括Mg成分；以及第三副成分，包括Ba成分和Ca成分。相对于每100摩尔的所述BaTiO3基主成分，以4摩尔或更少的量包括所述第一副成分。在所述第一副成分中，Nb的摩尔含量和Gd的摩尔含量满足0.33≤Nb/Gd，并且在所述第三副成分中，Ba的摩尔含量和Ca的摩尔含量满足0.2≤Ca/(Ba+Ca)。

公开(公告)号：CN114520115A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111191491.9

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金亨旭 ,  白承仁 ,  洪智秀 ,  张银河 ,  朴宰成 ,  李忠垠

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层；侧边缘部，分别设置在主体的侧表面上；以及外电极，分别设置在主体的端表面上。主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括与介电层交替设置的内电极，覆盖部分别设置在电容形成部的上表面和下表面上。Ga2/Ga1大于或等于0.8且小于1.0，并且Ga2/Gc1大于或等于0.8且小于1.0。a1是电容形成部的中央部，a2是电容形成部的与覆盖部中的一个覆盖部相邻的边界部，c1是所述一个覆盖部的与所述电容形成部相邻的边界部。Ga1、Ga2和Gc1分别是a1、a2和c1处的介电晶粒的平均尺寸。

公开(公告)号：CN106915959B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201610702249.6

申请日：2016-08-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴然庭 ,  尹硕晛 ,  金亨旭 ,  金昶勋 ,  金斗永

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开一种介电组陶瓷合物、介电材料以及包含其的多层陶瓷电容器，所述介电材料包括钛酸钡基基体材料主要成分和辅助成分。在所述介电材料的精细的烧结结构中，Ca的含量小于2.5mol％的晶粒为第一晶粒，Ca的含量为4.0mol％至12.0mol％的晶粒为第二晶粒，且所述第一晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径的比在1.6至2.2的范围内。