多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118782388A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202311394395.3

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,介电层包括多个介电晶粒,内电极与介电层交替设置;以及外电极,设置在主体上并且连接到内电极。所述多个介电晶粒中的至少一个包括Ba、Ti、Sn和稀土元素,并且具有核‑双壳结构,所述核‑双壳结构包括核、设置在所述核的至少一部分上的第一壳以及设置在所述第一壳的至少一部分上的第二壳。当包括在所述第一壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S1、包括在所述第二壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S2、包括在所述第一壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R1并且包括在所述第二壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R2时,满足S1>S2且R2>R1。

    多层陶瓷电容器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110828170B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201811590018.6

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极,并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在陶瓷主体的外表面上并分别电连接到第一内电极和第二内电极。介电层包括介电晶粒,在介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界,并且晶界中的Si/Ti摩尔比满足15%至40%。

    钛酸钡的制备方法以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末

    公开(公告)号:CN103570059B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310289292.0

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种钛酸钡的制备方法,以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末。高结晶钛酸钡的制备方法包括通过升高相对温度,制备具有电离钡(Ba)的氢氧化钡原料,制备分散在酸或者碱中的钛(Ti)原料,混合所述氢氧化钡和所述钛原料并反应得到钛酸钡晶种;以及将所述钛酸钡晶种与烧结促进剂混合以完成晶粒生长。所述钛酸钡粉末可以具有极好的晶粒大小分布和低烧结起始温度,因此,在应用于多层陶瓷电子元件时,改善了如分层产生、覆盖率退化等问题。

    多层陶瓷电容器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110828170A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201811590018.6

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极,并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在陶瓷主体的外表面上并分别电连接到第一内电极和第二内电极。介电层包括介电晶粒,在介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界,并且晶界中的Si/Ti摩尔比满足15%至40%。

    钛酸钡的制备方法以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末

    公开(公告)号:CN103570059A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310289292.0

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种钛酸钡的制备方法,以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末。高结晶钛酸钡的制备方法包括通过升高相对温度,制备具有电离钡(Ba)的氢氧化钡原料,制备分散在酸或者碱中的钛(Ti)原料,混合所述氢氧化钡和所述钛原料并反应得到钛酸钡晶种;以及将所述钛酸钡晶种与烧结促进剂混合以完成晶粒生长。所述钛酸钡粉末可以具有极好的晶粒大小分布和低烧结起始温度,因此,在应用于多层陶瓷电子元件时,改善了如分层产生、覆盖率退化等问题。

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