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公开(公告)号:CN1787704A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510092214.7
申请日:2005-07-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , C23C14/352 , H01L51/0008 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种通过利用对面靶溅射设备制造有机发光器件的方法。该方法包括在基板上形成第一电极;在第一电极上形成有机薄膜;以及通过对面靶溅射设备在有机薄膜上形成第二电极。因此,以低的温度在有机发光器件上形成电极薄膜而没有由于等离子体导致的劣化,可以提高光发射效率和有机发光器件的电光特性。
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公开(公告)号:CN1845359A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200610072619.9
申请日:2006-04-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体沉积和/或热沉积制造有机发光器件的方法。通过第一根与第二根反应来形成绝缘层。第一根通过使第一气体穿过等离子体产生区域和加热体来形成,第二根通过使第二气体穿过加热体来形成。该方法通过基本分解源气体改善了所得绝缘层的特点并提高了源气体的使用效率。绝缘层可为形成在有机发光器件上的钝化层。该方法使用等离子体装置如感应耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)装置或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置。
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公开(公告)号:CN1807681A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200610006396.6
申请日:2006-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种蒸镀装置和利用该蒸镀装置的蒸镀方法。该蒸镀装置中,分解所需要的能量相对较高的气体利用等离子体分解方式和加热体方式进行分解,分解所需要的能量相对较低的气体利用加热体方式进行分解,由此在基板上形成蒸镀物。在利用现有的ICP-CVD装置或PECVD等的等离子体装置形成绝缘膜时,存在源气体难以完全分解而使蒸镀物的特性变差,源气体的使用效率差的缺陷,本发明为了克服该缺陷而涉及等离子体或/及加热体方式的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法。
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公开(公告)号:CN1740378A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510093332.X
申请日:2005-08-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种将基片直立为约垂直的状态下蒸镀有机物而形成有机薄膜的有机物蒸镀装置,以此不仅可以适用于大型基片,而且可以形成厚度均匀的有机薄膜。本发明所提供的有机物蒸镀装置,包含:室,用于形成壳体并使基片相对地面保持在70°至110°角度;有机物存入部,由用于接收需要蒸镀所述基片上有机物的至少一个有机物存入处组成;有机物喷嘴部,用于喷射需要蒸镀到所述基片上的有机物;连接管道,用于连接所述有机物喷嘴部和有机物存入部;移送装置,用于在所述有机物存入部、有机物喷嘴部和连接管道之中至少可以将所述有机物喷嘴部按垂直方向移动。
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