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公开(公告)号：CN100397576C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200480001234.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域的宽度方向上与下一个定时的照射区域重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光对第1照射区域照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域部分重合的第2照射区域照射紫外光脉冲激光。
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公开(公告)号：CN1284128C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02800797.2
申请日：2002-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/088 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , G09G2360/145 , G09G2360/148 , H01L27/3269
Abstract: 提供一种自发光型显示装置，可以抑制发光象素的驱动用元件的特性波动，没有发光元件的发光亮度的波动，且耗电少。其中，在以矩阵状配置的多个发光象素的每一个上设置接收发光象素的发光的光电变换部，用从光电变换部得到的电压控制流过发光象素的电流。而且，还具备即使光电变换部的变换增益有变化，也能抑制发光象素的亮度变化的单元。
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公开(公告)号：CN1162829C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN00137093.6
申请日：2000-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/2074 , G09G2300/0828 , G09G2300/0842 , G09G2330/021
Abstract: 一种液晶显示装置，配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70，因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步，响应从数据线65输入的副像素连接信号，把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
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公开(公告)号：CN1469337A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03148706.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/325 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/043
Abstract: 向电流驱动型发光元件提供对应于显示亮度的数据电流的电流供给电路(10a)在于供给模式之前执行的补偿模式下，使基准电流(Iref)通过在供给模式下用于向数据线(DL)供给数据电流(Idat)的驱动晶体管(T11a)。与此时的驱动晶体管(T11a)的栅极连接的节点(N2(a))的电压由电压保持电容器(C2a)保持。在供给模式下，该节点(N2(a))的电压依据数据电压(Vdat)而变化。数据电压(Vdat)依据应供给的数据电流(Idat)和基准电流(Iref)之差而设定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1408122A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 精工爱普生股份有限公司
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN100354720C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410012057.X
申请日：2000-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光，具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3)，该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20)，平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22)，其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜，该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽，沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5)，其中，上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深，上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。
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公开(公告)号：CN1332426C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200480001244.6
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域的工序。
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公开(公告)号：CN1290072C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03148706.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/325 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/043
Abstract: 向电流驱动型发光元件提供对应于显示亮度的数据电流的电流供给电路(10a)在于供给模式之前执行的补偿模式下，使基准电流(Iref)通过在供给模式下用于向数据线(DL)供给数据电流(Idat)的驱动晶体管(T11a)。与此时的驱动晶体管(T11a)的栅极连接的节点(N2(a))的电压由电压保持电容器(C2a)保持。在供给模式下，该节点(N2(a))的电压依据数据电压(Vdat)而变化。数据电压(Vdat)依据应供给的数据电流(Idat)和基准电流(Iref)之差而设定。
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