-
公开(公告)号:CN103797710B
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201280029737.5
申请日:2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关(SW1)被设定为切断、开关(SW2)被设定为接通的情况下,SigOut端子(205)的电压稳定在基准电压,对电容器(C1)施加偏置电压。开关(SW2)从接通变为切断,由此,利用保持在电容器(C1)的偏置电压,从SigIn端子(201)输入的检测信号以基准电压为基准被放大,放大信号从SigOut端子(205)输出。
-
公开(公告)号:CN103842838A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201280023413.0
申请日:2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7),生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域,将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
-
公开(公告)号:CN103797710A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280029737.5
申请日:2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关(SW1)被设定为切断、开关(SW2)被设定为接通的情况下,SigOut端子(205)的电压稳定在基准电压,对电容器(C1)施加偏置电压。开关(SW2)从接通变为切断,由此,利用保持在电容器(C1)的偏置电压,从SigIn端子(201)输入的检测信号以基准电压为基准被放大,放大信号从SigOut端子(205)输出。
-
公开(公告)号:CN207926702U
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201820324964.5
申请日:2018-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04N1/028
Abstract: 本实用新型的目的在于得到一种不提高加工的难易度而易于提高散射效率的导光体。该导光体的特征在于,散射部具有从侧表面向外部突起的突起部,且具有山脊部,该山脊部从突起部的顶部分别沿着不同的延伸方向至少延伸有三个,并且连续至与柱状部的母线交叉的突起部的基部,或者,散射部具有从侧表面向内部凹进的凹坑部,且具有山谷部,该山谷部从凹坑部的底部分别沿着不同的延伸方向至少延伸有三个,并且连续至与柱状部的母线交叉的凹坑部的基部。散射部呈矩阵状排列,在柱状部的圆周方向上的同一列中相邻的散射部彼此的山脊部或山谷部的延伸方向不同,或者,在圆周方向上相邻排列的两列的散射部的山脊部或山谷部的延伸方向不同。
-
-
-
-