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公开(公告)号：CN109075752A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026812.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/343 , G05F3/26 , G07D7/00 , H03K17/687
Abstract: 偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
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公开(公告)号：CN109716403A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057837.1
申请日：2017-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 静电容量检测装置(20)包括至少一部分夹着搬运路径(5)相对的第一电极(1)和第二电极(2)。振荡电路在第一电极(1)与第二电极(2)之间形成电场。检测电路对第一电极(1)与第二电极(2)之间的静电容量的变化进行检测。在第一基板(11)和第二基板(12)形成有振荡电路和检测电路中的至少一方。第一基板(11)配置成第一基板(11)的侧面在电场方向上与第一电极(1)相对，第二基板(12)配置成第二基板(12)的侧面在电场方向上与第二电极(2)相对。
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公开(公告)号：CN103842838B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280023413.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
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公开(公告)号：CN104969084A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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公开(公告)号：CN109075752B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780026812.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/343 , G05F3/26 , G07D7/00 , H03K17/687
Abstract: 偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109993878A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910303591.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G07D7/026
Abstract: 静电容量检测装置(20)包括至少一部分夹着搬运路径(5)相对的第一电极(1)和第二电极(2)。振荡电路在第一电极(1)与第二电极(2)之间形成电场。检测电路对第一电极(1)与第二电极(2)之间的静电容量的变化进行检测。在第一基板(11)和第二基板(12)形成有振荡电路和检测电路中的至少一方。第一基板(11)配置成第一基板(11)的侧面在电场方向上与第一电极(1)相对，第二基板(12)配置成第二基板(12)的侧面在电场方向上与第二电极(2)相对。
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公开(公告)号：CN104969084B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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公开(公告)号：CN103797710B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201280029737.5
申请日：2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关（SW1）被设定为切断、开关（SW2）被设定为接通的情况下，SigOut端子（205）的电压稳定在基准电压，对电容器（C1）施加偏置电压。开关（SW2）从接通变为切断，由此，利用保持在电容器（C1）的偏置电压，从SigIn端子（201）输入的检测信号以基准电压为基准被放大，放大信号从SigOut端子（205）输出。
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公开(公告)号：CN103842838A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280023413.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
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公开(公告)号：CN103797710A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280029737.5
申请日：2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关（SW1）被设定为切断、开关（SW2）被设定为接通的情况下，SigOut端子（205）的电压稳定在基准电压，对电容器（C1）施加偏置电压。开关（SW2）从接通变为切断，由此，利用保持在电容器（C1）的偏置电压，从SigIn端子（201）输入的检测信号以基准电压为基准被放大，放大信号从SigOut端子（205）输出。
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