磁传感器装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103003711B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201180037420.1

    申请日:2011-07-28

    CPC classification number: G01R33/091 G01R33/09 G01R33/096 G07D7/04

    Abstract: 通过在输送纸币(5)的中空部(2)的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),从而在中空部(2)形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币(5)的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币(5)与第一磁铁(6)之间设置AMR元件(10)。AMR元件(10)被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件(10)设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币(5)在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。

    磁传感器装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103003711A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201180037420.1

    申请日:2011-07-28

    CPC classification number: G01R33/091 G01R33/09 G01R33/096 G07D7/04

    Abstract: 通过在输送纸币(5)的中空部(2)的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),从而在中空部(2)形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币(5)的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币(5)与第一磁铁(6)之间设置AMR元件(10)。AMR元件(10)被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件(10)设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币(5)在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。

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