线式膜形成装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101440471B

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN200810178118.8

    申请日:2008-11-19

    CPC classification number: C23C14/12 C23C14/243 C23C14/568

    Abstract: 本发明公开一种线式膜形成装置,包括:淀积源、防淀积板和屏。淀积源存储不同膜形成材料,并且包括在垂直于传送方向的基板的宽度方向上延伸的开口。所述开口相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧。所述防淀积板隔开与共淀积室相邻的淀积室,并且相互平行地设置在传送方向的上游侧和下游侧,限制来自开口的蒸汽的淀积区域。屏限制并且使来自开口的蒸汽在基板的淀积区域与通过板限定的淀积区域重合。因而,防止单成分模形成而只有混合膜形成在基板上。

    真空蒸镀装置以及温度调节方法

    公开(公告)号:CN101981223A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:CN200980111673.1

    申请日:2009-09-24

    CPC classification number: C23C14/243 C23C14/12

    Abstract: 本发明提供一种真空蒸镀装置。该真空蒸镀装置包括:能够收容从外部搬入的被蒸镀体(B)的真空室(1);设置在所述真空室(1)内并收容蒸镀材料(M)的坩埚(2);加热所述坩埚(2)并使所述蒸镀材料(M)气化的加热源(3);分散配置在坩埚(2)的底部(2c)并支承坩埚(2),并且在坩埚(2)与真空室(1)的底部(1a)之间进行传热的多个支承部(5)。通过该真空蒸镀装置,能够实现温度分布的均一化,并能够降低材料的多余的填充。

    真空蒸汽沉积设备
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100503881C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200610006228.7

    申请日:2006-01-23

    Abstract: 一种坩锅为在汽化室的整个区域上延伸的整体结构,并具有至少一个设置在坩锅上表面内的狭缝凹槽。所述至少一个狭缝凹槽具有从该坩锅上表面的一端到其另一端的长度。所述至少一个狭缝凹槽用作为用于容纳蒸发材料(掺杂材料等)的部分。可替换地,一种坩锅为在汽化室的整个区域上延伸的整体结构,并具有多个设置在坩锅上表面内的孔。这些孔用作为用于容纳蒸发材料的部分。另外,该坩锅分成多个区域,在坩锅下表面之下为相应区域设置单独的电加热器,从而能通过这些电加热器为相应区域单独控制温度。

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