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公开(公告)号：CN104900510B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510369469.7
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/66 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法，包括如下步骤：在进行工艺前建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的映射关系模型，在进行光刻胶抗反射涂层工艺时，实时量测光刻胶抗反射涂层的厚度，并根据量测反馈的光刻胶抗反射涂层厚度及步骤S14得到映射关系模型，实时选择和调整合适的工艺时间，以使得在线晶圆产品在不同光刻胶抗反射涂层厚度下得到相同浅沟槽刻蚀关键尺寸。本发明引入光学线宽测量仪(Optical Critical Dimension，简称OCD)检测量化光刻胶抗反射涂层的厚度，以改进浅槽隔离刻蚀线宽，并调整浅沟槽隔离刻蚀时间，从而精确控制浅沟槽隔离的关键尺寸。
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公开(公告)号：CN107506538A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710670732.5
申请日：2017-08-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种光学临近修正工艺的预处理方法，属于集成电路设计技术领域，包括：将第一图形边朝图形外侧延伸一第一预设距离以得到一菱形的第一图形；将第二图形边朝图形外侧延伸一第二预设距离以得到一预处理覆盖图形，将预处理覆盖图形沿与第二图形边平行的方向延伸一第三预设距离以得到一覆盖部分第一图形的覆盖图形；对第一图形和覆盖图形进行逻辑“非”处理以得到第二图形；对图形和第二图形进行逻辑“或”处理以得到具有一倒角缺口的第一目标图形；对倒角缺口进行三角填充以得到第二目标图形。本发明的有益效果：提高OPC处理结果的准确性与一致性。
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公开(公告)号：CN104409393B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410654598.6
申请日：2014-11-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。
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公开(公告)号：CN104362085B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410522341.5
申请日：2014-09-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提出一种调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，包括：在多晶硅栅极刻蚀前测量光刻胶的宽度；计算得出刻蚀后的多晶硅栅极线宽；计算得出刻蚀后抗反射层损耗的线宽；根据抗反射层刻蚀速率，实时修正硅片的刻蚀工艺时间。本发明提出的调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，采用抗反射层从而直接调整高压栅极的线宽，达到不需要调节离子注入剂量的目的。
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公开(公告)号：CN105185680B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510608900.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件制造技术领域，具体涉及一种电流检测装置及介质膜蚀刻装置，通过检测单元检测所述驱动电流信号，一方面可以判断磁场驱动装置是否出现故障，另一方面可以判断控制电流、和/或驱动电流信号是否匹配标准电流信号。仅仅只有在驱动电流信号匹配标准电流状态下，保证介质膜蚀刻装置内部产生的磁场处于均匀状态，通过均匀磁场对晶圆表面进行刻蚀，有利于提高晶圆的刻蚀均匀率，同时提高产品的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157566B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410412283.0
申请日：2014-08-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括：对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN104392946B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410652851.4
申请日：2014-11-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀终点检测方法，在具有射频电源适配器的刻蚀反应腔中进行，其在刻蚀过程中采用适配器来进行终点检测，包括以下步骤：将衬底放入刻蚀反应腔中，并采用适配器的参数来监测刻蚀反应腔内的阻抗；对衬底进行刻蚀工艺；适配器的参数发生突变，停止刻蚀。本发明的刻蚀终点检测方法，通过射频电源适配器的参数变化来监测刻蚀是否达终点，从而在无需另外安装终点检测系统的条件下，利用刻蚀反应腔自身具有的射频电源适配器就可以进行有效地终点检测，简化了操作步骤，节约了成本。
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公开(公告)号：CN106683986A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610703068.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: 本发明公开了一种改善晶片边缘缺陷的方法，包括提供晶片并在所述晶片上涂覆负性的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺以在晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；在晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光宽度为第二宽度的第二次晶片边缘曝光工艺。本发明能够解决晶片边缘曝光工艺后光刻胶的光刻胶形貌在过渡性斜坡位置厚度均匀性不一导致刻蚀缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN104360691B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410652823.2
申请日：2014-11-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G05D5/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种接触孔关键尺寸的控制方法，在需要调整接触孔的关键尺寸时，通过改变MFC零点的电压设定，使MFC具有与所需的蚀刻气体流量调整增量值对应的零点初始流量，以改变MFC在工艺菜单规定的蚀刻气体流量设定值时的实际蚀刻气体流量，因而可在不修改工艺菜单的情况下，实现对接触孔关键尺寸的细微调节，在维持过程控制稳定的前提下，减少了不必要的PM次数，节约了时间和成本。
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公开(公告)号：CN103925380B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410106477.8
申请日：2014-03-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种利用腔体真空分步控制以优化电浆均匀性的方法，包括：采用将双阀门压力控制阀门和分子泵垂直安置于反应腔体下方的设置，在对腔体进行抽气式，打开双阀门使腔体内抽气气流均匀，从而达到使等离子电浆均匀的目的。通过本发明的一种压力控制阀门与一种优化等离子体均匀性的方法能够改进真空腔体中等离子体的均匀性，解决电浆对晶圆反应的不均匀性问题。
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