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公开(公告)号：CN111965934B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202010576117.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种OPC修正通孔的选择方法，包括：选取尺寸满足设计规则的通孔，作为第一类通孔，通孔为正方形，通孔具有第一边、第二边、第三边和第四边；从第一类通孔中选出第一边与第一边相邻的正对孔的距离为第一预设值的通孔作为第二类通孔；从第二类通孔中选出第二边与第二边相邻的投影孔的距离为第二预设值且第三边与第三边相邻的投影孔的距离为第二预设值的通孔作为第三类通孔；将第三类通孔的第四边两端延长，以形成第五边，将第五边作为一个边以形成一个矩形框，矩形框与第三类通孔相邻并且接触；矩形框中与第五边相邻的边接触到的通孔即为所要选择的目标通孔。本发明可以选择到合适的目标通孔，提高后续流程中的OPC修正时的精度。
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公开(公告)号：CN111929981B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010891829.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。
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公开(公告)号：CN112230509A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011199811.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。
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公开(公告)号：CN111752088A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010576089.1
申请日：2020-06-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备，网格图形统一尺寸的方法包括，选择具有若干个第一宽度图形线和若干个第二宽度图形线的第一目标图形，其中，第一宽度图形线的线宽等于第二宽度图形线的线宽加上图形尺寸精度；根据第一目标图形中图形线的交叉点及第二宽度图形线，将至少一个第二宽度图形线的线宽扩增至第一宽度图形线的线宽。本发明提供的网格图形统一尺寸的方法，根据网格交叉图形的凹凸选择需要调整尺寸的图形线的边线，充分考虑了需要调整尺寸的图形线与同一方向相邻图形线的位置关系，在统一网格线尺寸的同时，能够保证网格图形中的图形线的边线不产生偏移。
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公开(公告)号：CN106154737B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610510504.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种降低ESD风险的版图处理方法，包括：第一步骤：获取原始的注入层掩模板；第二步骤：选择原始的注入层掩模板中易发生ESD效应的图形边；第三步骤：针对易发生ESD效应的图形边优化原始的注入层掩模板；第四步骤：对优化后的注入层掩模板执行光学邻近校正处理以获得最终的注入层掩模板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106919009B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710318782.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学邻近校正前的图形预处理方法，用于去除掩膜图案中不利于光学邻近校正的图形边缘，具体为提供一个初始图形，在初始图形上找出相对于初始图形的边界凸起的凸起短边，然后选择包含该凸起短边的第一多边形，第一多边形中包含初始图形；步骤二：将第一多边形朝初始图形的外部移动，得到若干个第二多边形，将第二多边形去除初始图形得到若干个第三多边形；当第三多边形中的一条边与凸起短边重合时定义为第四多边形，将所有第四多边形与初始图形合并后得到最终目标图形。通过上述方法能消除位于斜边上的图形边凸起，光学邻近校正后结果一致性更好，相同目标图形经过光学邻近校正后，图形差异在一个最小图形格点之内。
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公开(公告)号：CN106024664A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610355194.6
申请日：2016-05-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/00 , H01L22/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统，该方法基于准确的金属层化学机械研磨模型，在模型预测能力范围内，通过改变模型输入参数预测不同的DOE晶圆金属层厚度，输出所需的监控区域的厚度，并将其用于光谱校准过程，通过本发明，不仅缩短了校准的时间，而且提高了膜厚堆叠模型的准确性。
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公开(公告)号：CN103744265B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410042455.X
申请日：2014-01-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种改善工艺窗口的光学临近修正方法，包括：第一步骤，输入目标图形，对目标图形边进行切割；第二步骤，模拟目标图形，计算第一参数、第二参数和第三参数的初始值；第三步骤，设定参数；第四步骤，根据第一参数的当前值进行修正，得到修正后的图形，并且重新计算以得到更新的第一参数值、更新的第二参数值、以及更新的第三参数值，并且根据计算出修正后的综合误差；第五步骤，判断修正后的综合误差是否不大于最大容许误差，而且判断第四步骤被执行的次数是否等于或者大于最大修正次数；在第五步骤的判断结果是修正后的综合误差大于最大容许误差、且第四步骤被执行的次数小于最大修正次数时，重新执行第四步骤和第五步骤。
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公开(公告)号：CN104166305A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410428712.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种减少修正迭代次数的OPC方法，包括：执行OPC过程，经过原始迭代次数，得到原始OPC修正图形；对原始OPC修正图形进行验证；找出原始OPC修正图形与目标图形的差距为原始OPC修正量，并设定原始OPC修正的临界值；将原始OPC修正图形中原始OPC修正量超过原始OPC修正的临界值的目标图形进行标记；设定新的迭代次数，执行新的OPC迭代过程，并在第一次迭代中，将原始OPC修正量赋值于标记的目标图形；得到并验证新的OPC修正图形；判断新的OPC修正图形的验证结果是否在误差标准内；是，则新的迭代次数为新的OPC的迭代次数；否则，使新的迭代次数再加1，并重新执行新的OPC过程，直至新的OPC的验证结果在误差标准内。从而保证了OPC精度和节约了时间。
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公开(公告)号：CN103543599A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310561167.0
申请日：2013-11-12
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法，包括：根据报出点地坐标找出相应的线端图形，找出所有目标线端图形组，每个目标线端图形组中的两个线端图形不满足延伸方向相互平行且延伸方向处于同一直线上的条件；量测其中的两个目标线端本身长度、两个目标线端相邻两边的长度，以及两个目标线端之间的距离；根据所有满足条件的目标线端的量测结果，确定最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距；以最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距作为甄选条件，对目标线端图形进行甄选，选出符合条件的所有非正对线端组，并对选出的线端图形进行切角处理，以切割掉两个非正对的目标线端的相对端两侧的角边；执行OPC修正处理。
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