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公开(公告)号：CN108766904B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810387262.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种静电吸附盘的温度监控方法，包括：步骤S1，实时获取温度传感器检测的静电吸附盘的温度，以及加热器的输出功率；步骤S2，判断温度传感器检测到的静电吸附盘的温度是否偏离标准温度线超过预设标准；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S3；步骤S3，判断加热器的输出功率是否位于标准功率区间内；若是，则返回步骤S1；若否，则转向步骤S4；步骤S4，停止刻蚀机台的运行；通过对静电吸附盘的温度和加热器的输出功率进行同时监控，温度监控的准确性高，有助于晶圆刻蚀的良率提升。
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公开(公告)号：CN108132580B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711394075.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供的去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
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公开(公告)号：CN105759561B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610326182.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法，包括：第一步骤：根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔；第二步骤：在对目标图形进行分段后，选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端；第三步骤：选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端；第四步骤：根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算，得到在光学临近修正处理中被限制的线端；第五步骤：为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量；第六步骤：进行基于模型的光学临近修正迭代过程，得到最终光学临近修正结果。
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公开(公告)号：CN106021703B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610326227.4
申请日：2016-05-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种版图设计中的权重线宽的提取方法，包括：确定版图设计数据中设计规则允许的最大线宽、最小线宽、版图的最小存储单元单位、以及权重线宽的允许误差；以计算出的线宽对版图设计数据利用缩放法进行提取，得出版图设计数据中所有线宽为计算出的线宽的第一几何图形，同时得出第一几何图形的面积；除去版图设计数据中所有第一几何图形以得到第一版图数据。
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公开(公告)号：CN105653828B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610173339.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行放大处理，在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783705B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611076590.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法，通过预判断晶圆对准缺口经过隔离阀位置传感器时四个可能的遮挡位置，在搬运控制器上进行初始角度、单次旋转角度以及旋转角度范围的设定，以避免晶圆对准缺口从该四个遮挡位置经过位置传感器而引起搬运控制器对晶圆圆心位置的误判，从而实现对晶圆传送位置的精确控制，达到使晶圆安置于静电吸附盘中心的目的，避免造成背面氦气流量异常引起的宕机以及晶边缺陷的产生。本发明方法实现方便，效果显著，可适用于工艺过程中对晶圆中心对准要求较高的制程。
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公开(公告)号：CN106328508B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610704771.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法，包括：判断栅极区和有源区的交接处是否存在拐角，判断非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离是否在所设定的安全范围内；判断非栅极区的多晶硅尺寸是否在所设定的设计规则数值范围之内或小于所设定的设计规则数值范围；选择非栅极区的多晶硅图形为需修正的第二图形；判断需修正的第二图形的远离栅极区的边界到与该边界最近的图形边界的距离是否在所设定的修正空间之内；将需修正的第二图形的远离栅极区的边界向远离栅极区的方向移动；引入控制栅极区边缘圆弧外倾的修正过程，对需修正的第一图形、或者需修正的第一图形和第二图形进行修正；对修正后的图形进行模拟验证。
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公开(公告)号：CN105206511B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510546180.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种高深宽比结构的光刻胶填充方法，通过组合抗反射光刻胶、填充光刻胶以及具有光刻解析能力的光刻胶来平坦化光刻胶层出现的高阶差的问题，同时利用抗反射光刻胶的表面较好的物理特性和粘附特性，将填充光刻胶表面形成的大小不等的雾状液滴消除，不但扩大了刻蚀的工艺窗口，而且有效地改善了通孔的形貌，同时简化了工艺步骤，有效地降低了工艺成本，将通孔失效模式降低并控制到了一定的程度，有着非常好的工艺成本优势。
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公开(公告)号：CN108132580A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711394075.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供的去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
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公开(公告)号：CN105097490B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510435897.5
申请日：2015-07-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/308
Abstract: 一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，包括：在硅衬底的上面需要淀积硬掩模层；把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；刻蚀以使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；去除光刻胶，去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶；进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，把残留掺硅抗反射光刻胶去除；将衬底上的残留的硬掩模层去除。
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