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公开(公告)号：CN118485207A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410636984.6
申请日：2024-05-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06Q10/063 , G06Q50/26 , G06Q50/02 , G06F18/23
Abstract: 本发明公开了一种农村土地覆盖缓解城市热岛效应的作用范围提取方法，包括确定目标城市的城市范围，划清城市区域与农村区域的边界，划分不同的城市梯段和不同的农村梯段；计算不同城市梯段的地表热岛强度和不同农村梯段的景观格局参数组；计算不同农村梯段的景观格局参数组对不同城市梯段的地表热岛强度变化的解释程度；比较不同农村梯段的景观格局参数组对同一城市梯段的地表热岛强度变化的解释程度，将解释程度最大的农村梯段作为对该城市梯段的热岛缓解潜力最大的农村土地覆盖范围。本发明采用解释程度来定量评价不同范围的农村土地覆盖对不同范围的城市热岛的缓解潜力，可更直观、更精确地比较和提取农村土地覆盖缓解城市热岛效应的作用范围。
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公开(公告)号：CN113668245A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110954403.X
申请日：2021-08-19
Applicant: 南京市产品质量监督检验院 , 东南大学
IPC: D06M15/37 , D01F6/44 , D01F1/10 , G01N30/02 , G01N30/06 , G01N30/34 , G01N30/36 , G01N30/72 , D06M101/18
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯‑羟基化多壁碳纳米管‑聚吡咯复合纳米纤维的制备方法及其应用，该纤维是将聚苯乙烯和羟基化多壁碳纳米管混溶混纺，并在纤维表面聚合吡咯单体，得到多组分复合纳米纤维。以本发明的复合纳米纤维作为净化材料，装填于固相萃取柱中，用于有机磷农药残留检测的前处理，该萃取柱能够去除农产品中的大部分杂质，达到净化目的。检测方法具体步骤如下：一、农产品用有机溶剂萃取并进行除水操作，得待净化溶液；二、固相萃取柱净化获得去除杂质后的待测溶液；三、液相色谱串联质谱检测，外标法定量。本发明前处理操作方便，样品及有机溶剂用量少，重现性较好，有效地减少了分析时间，能够快速分析检测蔬果等农产品中的有机磷农药残留。
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公开(公告)号：CN112229935A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011462374.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京市产品质量监督检验院 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种全氟化合物的分析检测方法，属于分析检测技术领域。该方法先利用聚吡咯纳米纤维分离、富集全氟化合物，然后采用液相色谱串联质谱检测，可实现对食品接触材料、食品等含有的全氟化合物进行检测。本发明通过利用聚吡咯纳米纤维固相萃取柱可高效、快速吸附样品中的PFCs，达到去除干扰，浓缩富集的作用，方法操作简单、快速、减少了有机溶剂使用量。
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公开(公告)号：CN103050940B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210545358.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN102970008B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210475551.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 东南大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 一种快速瞬态响应脉冲宽度调制电路，包括PWM调制器、斜坡补偿电路、电流检测电路以及误差放大器，电流检测电路包括LX电压传递电路及检测电流产生器，LX电压传递电路的输出端与检测电流产生器的输入端连接；PWM调制器包括电压-电流比较器、放大电路及整形电路，斜坡补偿电路采用将斜坡电压转化为电流叠加比较的分段斜坡补偿结构，电压-电流比较器的输入端分别连接检测电流产生器、误差放大器及斜坡补偿电路的输出信号，电压-电流比较器的输出端连接放大电路的输入端，放大电路的输出端连接整形电路的输入端，整形电路的输出端即为PWM调制电路输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102333195A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110285918.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种工作于线性模式APD阵列的主、被动成像读出电路，设有探测器、短路保护电路、积分电路、积分时间控制电路、主被动模式切换电路、采样保持电路及行选电路，探测器的输出端连接短路保护电路的输入端，短路保护电路的输出端连接积分电路的输入端，积分时间控制电路的输出端接主被动模式切换电路的输入端，主被动模式切换电路的一个输出端连接积分电路的控制信号端,主被动模式切换电路的另一输出端连接采样保持电路的控制信号端，积分电路的输出端连接采样保持电路的输入端，采样保持电路的输出端连接行选电路的输入端，行选电路的输出端接连接后续信号处理电路。
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公开(公告)号：CN101567630B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910026865.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 一种电感电流感应电路，设有开关管电路、感应电流产生电路及感应电压产生电路，开关管电路的输出端连接感应电流产生电路，感应电流产生电路的输出端连接感应电压产生电路，感应电压产生电路的输出端输出感应电压；开关管电路、感应电流产生电路及感应电压产生电路具有同一的公共电源输入端和同一的公共输入控制信号，利用处于线性区的PMOS管近似等效于一个电阻的原理，采用电流镜复制电流的方法，按一定比例缩小电感电流来感应电感电流，通过感应电流流过输出电阻的方法进行电流电压的转换，产生稳定的感应电压；设置运算放大器来稳定内部工作点，进一步提高感应电压的精确度以及电路的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN101771081B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910263298.4
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
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公开(公告)号：CN101924469A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010248402.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M2001/0025 , H02M2003/1566 , Y02B70/1466
Abstract: 一种具有快速瞬态响应的开关电源，在开关电源原有PWM控制环路增加迟滞控制环路，包括迟滞控制器和控制信号选通器，迟滞控制器用于检测开关电源输出电压的大小，将开关电源输出电压与基准电压相比较。当开关电源负载电流突变时，开关电源输出电压波动。若开关电源输出电压处于所设置的迟滞电压范围(基准电压±(10～30mV))内，则迟滞控制器的输出端SELp和输出端SELn均为低电位，控制信号选通器选择PWM控制器的输出信号Qp1和输出信号Qn1作为栅极信号驱动电路的输入信号；若开关电源输出电压的波动超出设置的迟滞电压范围，则迟滞控制器的输出端SELp或输出端SELn输出高电位，控制信号选通器选择迟滞控制器的输出信号Qp2和输出信号Qn2作为栅极信号驱动电路的输入信号，控制开关电源功率级开关管的工作，稳定输出电压。
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公开(公告)号：CN101771081A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263298.4
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
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