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公开(公告)号：CN111983539A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010707691.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法，该方法包括：采用未校准的在片S参数测量系统测量LRRM校准标准的直通标准、匹配负载、两个反射标准，得到直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值；根据直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值、以及预设的参量转换关系式确定八项误差模型和误差网络的比例关系；基于比例关系对直通原始转移参数矩阵进行修正，得到修正后的转移参数矩阵，并根据开关项修正方法以及修正后的转移参数矩阵对在片S参数测量系统进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法能够实现在片S参数的准确测量。
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公开(公告)号：CN111983312A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717525.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波、毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数的确定方法及终端设备，该方法包括：获取阻抗调配器内部探针位置以及每个探针位置对应的第一源阻抗值；根据确定的最佳源反射系数估计值、幅度参数列表、相位参数列表以及最大幅度值，计算第二源阻抗值；根据每个第二源阻抗值，确定第一源阻抗值对应的源阻抗点中与每个第二源阻抗值对应的源阻抗点距离最近的源阻抗点为目标源阻抗点；确定每个目标源阻抗点对应的目标源阻抗值对应的内部探针位置；根据每个目标源阻抗值对应的内部探针位置，计算噪声参数。本发明减少了用于计算噪声参数的待测量参数的数量，大大提高测量效率，降低了噪声参数的计算复杂度，且计算的噪声参数的准确度高。
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公开(公告)号：CN109444721B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8‑term误差模型；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN111781479A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010091791.9
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。
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公开(公告)号：CN109444721A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8-term误差模型；根据所述8-term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8-term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103364752B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310306006.7
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片负载牵引测量系统的现场校准方法。本校准方法首先制作反射系数覆盖0.1到0.8的失配衰减单片作为传递标准件，然后用在片校准过的矢量网络分析仪对传递标准件进行定标测量，得到传递标准件的标准转换增益GT(S)及其定标不确定度，接着用定标后的传递标准件对在片负载牵引测量系统进行转换增益参数校准，完成负载牵引测量系统量值溯源工作。本校准技术可以对在片负载牵引系统的性能指标进行全面、真实的校准，给出校准偏差△GT,并且能够定量的给出在片负载牵引测量系统的测量不确定度，对实现负载牵引测量系统的量值统一有所帮助，为功率单片电路的研制、生产提供了计量技术支撑。
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公开(公告)号：CN114252701B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111493657.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/06
Abstract: 本发明适用于通信设备技术领域，提供了一种微波器件驻波比测量方法及测量终端，上述方法包括：应用于驻波比检测设备；上述设备包括：信号源、定向耦合器及信号检测仪；定向耦合器的输入端与信号源连接，定向耦合器的输出端用于与待测件、全匹配标准件或全反射标准件连接，定向耦合器的耦合端与信号检测仪连接；上述方法包括：分别获取定向耦合器的输出端连接全匹配标准件、全反射标准件及待测件时的电压幅值，根据上述三个电压幅值确定待测件的驻波比。本发明采用全匹配标准件和全反射标准件对检测设备进行校准，进而计算得到待测件的驻波比，无需使用网络分析仪或测量线，大大降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN113777547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110864583.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准判断方法、装置及终端。该方法包括：基于参考在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的参考S参数；基于目标在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的目标S参数；基于参考S参数、目标S参数和T参数与S参数之间的转换关系，确定目标S参数相对于参考S参数的最大偏差，并根据最大偏差判断目标在片校准方法对在片S参数测量系统的校准是否有效。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN114719710B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210228086.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B5/02
Abstract: 本发明提供一种位移偏差测量方法。应用于探针台的圆形载片台，载片台的直径为第一长度，该方法包括：将标准测量尺沿预设方向平行固定在载片台上；其中，标准测量尺的初始刻度处于载片台区域中；控制载片台沿预设方向移动预设距离，并通过标准测量尺获取载片台移动的实际距离；根据实际距离和预设距离确定载片台的位移偏差，并根据位移偏差对载片台进行修正。本发明能够提高探针台测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN114137389B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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