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公开(公告)号：CN115266487B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210671506.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N15/0227 , G01B11/24
Abstract: 本申请适用于微电子计量技术领域，提供了一种标准样板定值方法、装置、终端设备及标准样板。该方法包括：获取制备得到的标准样板的特征图像；其中，标准样板为刻蚀有多个镂空柱状结构的晶圆，特征图像包括镂空柱状结构对应的底面图像；在特征图像上建立直角坐标系，确定底面图像的轮廓点坐标，根据轮廓点坐标确定底面图像的圆心坐标与半径；选取特征图像上多个定值区域，根据各个定值区域内底面图像的数目与半径分别确定各个定值区域的平均半径，根据平均半径确定标准样板的标准粒径。本申请能够精准确定标准样板的标准粒径，以使标准样板可以用于晶圆表面颗粒度检测仪的有效校准。
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公开(公告)号：CN114236181B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111476926.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明提供一种AFM探针测量方法、装置、控制设备及存储介质。该方法包括：利用AFM探针扫描待测线条，得到待测线条的待测曲线；以待测曲线的顶点为中心，确定待测线条的左侧待测曲线和右侧待测曲线；以AFM的横向分辨率为步进，分别求解待测线条的左侧AFM探针曲线和右侧AFM探针曲线，并根据左侧待测曲线、右侧待测曲线、左侧AFM探针曲线和右侧AFM探针曲线，得到待测线条的真实轮廓。本发明能够提高AFM探针测量的准确性。
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公开(公告)号：CN114850792A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210470107.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微电子计量领域，提供了一种触针式表面轮廓仪探针系统的制备方法，其特征在于，包括：确定探针系统的材质和图纸，探针系统包括针尖和底座，针尖的材质为钨钢，底座的材质为铝；采用微细电火花加工方式对钨钢材料进行加工，制备针尖；采用机械加工方式对铝制材料进行加工，制备底座；将针尖和底座组装为探针系统。本申请为触针式表面轮廓仪提供了一套材料选择、图形设计、电火花加工、机械加工以及位置调校系统化的方案，在一定程度上解决了探针系统磨损的问题，提高了台阶测量的准确度。
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公开(公告)号：CN111924798A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010711573.0
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片及其制备方法，该寻迹式线宽标准样片包括：依次设置的第一衬底样片、多层介质层和第二衬底样片；第一衬底样片的第一面上设置多个第一凹槽，每个第一凹槽内均具有与第一衬底样片的第一面齐平的第一填充介质；第一凹槽内未设置第一填充介质的部分为第一寻迹凹槽；第二衬底样片的第一面上设置多个第二凹槽，每个第二凹槽内均具有与第二衬底样片的第一面齐平的第二填充介质；第二凹槽内未设置第二填充介质的部分为第二寻迹凹槽。本发明通过多个第一寻迹凹槽和多个第二寻迹凹槽，便于寻找多层介质层中作为标准线条的一层，实现大倍率测量的关键设备的快速校准。
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公开(公告)号：CN111599676A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010449781.8
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括：在第一硅晶圆片上自下至上依次沉积刻蚀膜层、线宽介质膜层和刻蚀膜层，制备多层膜沉积样片，其中，线宽介质膜层的厚度小于50nm；刻蚀膜层和线宽介质膜层为具有高刻蚀选择比的配对材料；在多层膜沉积样片上结合第二硅晶圆片；按矩形阵列划分为若干划片单元；将划片单元旋转90°，采用研磨工艺，对划片单元的上下两个截面研磨和抛光；采用刻蚀工艺，对两层刻蚀膜层进行刻蚀，保留线宽介质膜层，制得亚纳米级线宽标准样片。本发明提供的基于多层膜沉积工艺的亚纳米级线宽标准样片的制备方法，能够提高线宽的制作精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111578848A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010333627.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种线宽标准样片的线宽量值确定的方法及系统，该方法包括：对椭偏仪进行校准；建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，并在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值，从而可以确定纳米级线宽标准样片的量值，提高纳米级线宽标准样片定值的准确度。
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公开(公告)号：CN111192242A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911342867.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体测试技术领域，提供了一种微米级格栅特征的一致性检测方法、装置及终端设备，该方法包括：采集微米级格栅图像，并对微米级格栅图像进行特征提取，获得微米级格栅图像中每个格栅的宽度特征和长度特征；根据每个格栅的宽度特征和每个格栅的长度特征，确定微米级格栅图像的格栅宽度方向一致性检测参数和微米级格栅图像的格栅长度方向一致性检测参数；根据格栅宽度方向一致性检测参数和格栅长度方向一致性检测参数，获得微米级格栅图像的格栅特征一致性检测结果。本发明的微米级格栅特征的一致性检测方法，检测结果客观准确，可以简单直观表示微米级格栅图像的格栅一致性。
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公开(公告)号：CN111128964A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911226284.5
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
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公开(公告)号：CN106249187B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610763763.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法，涉及散射参数校准技术领域。该方法包括：根据算法分析及工艺加工能力设定多线TRL校准件传输线在目标频带下的几何尺寸及个数，并制作多线TRL校准件；测量多线TRL校准件的几何量；通过测量多线TRL校准件传输线的线电容，并结合传播常数得到多线TRL校准件传输线的特征阻抗。上述在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法给出了传输线长度、导体厚度的选取准则，实现多线TRL校准件的准确定义，且经验证多线TRL校准件设计合理，准确度较高。
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公开(公告)号：CN111573616B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010334963.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均分设于沟槽结构的长度方向的两侧，定位角结构设于标准样板的四角；沟槽的深宽比大于等于10:1。本发明提供的复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，能够准确测量沟槽或台阶标准样板的宽度和深度，同时复现测量过程中两个参数结果之间存在的影响，提高测试数据的准确性，降低标准样板的成本。
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