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公开(公告)号：CN115219815B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN113849958B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110938374.8
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数与S参数的转换关系，确定在片S参数测量系统的串扰误差，并根据串扰误差对在片S参数系统进行修正。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN116125353A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211097162.2
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本申请提供一种在片S参数测量系统误差修正方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值，并基于预先确定的第一关系式，对在片负载校准件进行修；然后，根据修正后的在片负载校准件对在片S参数系统进行校准。最后，对在片S参数测量系统的串扰误差进行修正。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN112098794B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010820390.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN112098793B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010820386.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983312B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010717525.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波、毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数的确定方法及终端设备，该方法包括：获取阻抗调配器内部探针位置以及每个探针位置对应的第一源阻抗值；根据确定的最佳源反射系数估计值、幅度参数列表、相位参数列表以及最大幅度值，计算第二源阻抗值；根据每个第二源阻抗值，确定第一源阻抗值对应的源阻抗点中与每个第二源阻抗值对应的源阻抗点距离最近的源阻抗点为目标源阻抗点；确定每个目标源阻抗点对应的目标源阻抗值对应的内部探针位置；根据每个目标源阻抗值对应的内部探针位置，计算噪声参数。本发明减少了用于计算噪声参数的待测量参数的数量，大大提高测量效率，降低了噪声参数的计算复杂度，且计算的噪声参数的准确度高。
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公开(公告)号：CN115219816A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743221.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于外接圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的外接圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115219815A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN114993460A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210633571.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明提供一种抗结霜低温波导噪声源。该噪声源包括矩形波导，矩形波导的输入端设置有刀口法兰密封模块，矩形波导内部气压大于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处产生漏气，矩形波导内部气压小于等于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处于密封状态。矩形波导的输出端依次设有第一波导法兰和第二波导法兰，波导法兰之间设有用于密封波导法兰中心通孔的聚四氟乙烯薄膜。矩形波导的侧壁设置有气孔。气孔用于对矩形波导吹填氦气或抽真空。本发明能够通过在输入端设置刀口法兰密封模块，吹填氦气大于设定的正气压时在刀口处排出空气，抽真空时大气压强压紧刀口、构成真空腔。实现了既可以采用吹填氦气方式又可以采用抽真空方式抗结霜。
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公开(公告)号：CN114114120A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
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