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公开(公告)号：CN112098794A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820390.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN111142057B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911302541.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备，包括：获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型；基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。本发明能实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。
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公开(公告)号：CN111142057A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911302541.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备，包括：获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型；基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。本发明能实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。
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公开(公告)号：CN110174634A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910439443.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种负载牵引测量系统及测量方法，测量系统包括矢量网络分析仪、源端阻抗调配器、负载端阻抗调配器、源端双定向耦合器和负载端双定向耦合器；源端阻抗调配器的第一端用于连接源端信号源，源端阻抗调配器的第二端连接源端双定向耦合器的第一端，源端双定向耦合器的第二端连接第一探针；负载端阻抗调配器的第一端用于连接负载端信号源，负载端阻抗调配器的第二端连接负载端双定向耦合器的第一端，负载端双定向耦合器的第二端连接第二探针；源端双定向耦合器的第三端和第四端、负载端双定向耦合器的第三端和第四端分别连接矢量网络分析仪的四个内部接收机的端口。本发明不受阻抗调配器机械重复性的影响，提高测试准确度。
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公开(公告)号：CN110174633A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910439434.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了器件参数的测量方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测器件的测量数据和负载牵引测量系统的误差参数，所述测量数据为所述负载牵引测量系统中矢量网络分析仪的内部接收机基于所述待测器件测量的电压波；利用所述测量数据和所述负载牵引测量系统的误差参数，计算所述待测器件的参数。通过获取矢量网络分析仪测量待测器件的实时测量数据，可以实时计算待测器件的参数，不受阻抗调配器机械重复性的影响，提高了待测器件的参数的测量准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114114120B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
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公开(公告)号：CN112098795B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010820400.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型及参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN114252831A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111527176.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本申请适用于射频/微波/毫米波测试技术领域，提供了太赫兹在片同轴验证及优化选择系统、方法及装置，该太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，包括：矢量网络分析仪、第一衰减器、第二衰减器、第一功率分配器和第二功率分配器；该太赫兹在片同轴验证及优化选择方法包括：通过太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，对标准件进行同轴模拟验证，确定标准件的组合；基于16项误差模型，计算组合中标准件的测量值与真实值的偏差；根据偏差和被测件的测量值，得到被测件的真实值。本申请通过对标准件的选择，确定了合适的标准件组合，在使用标准件数最小的情况下，使用精度最高的校准标准组合，提高了校准的精确度，进一步提高了太赫兹在片测量的精准度。
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公开(公告)号：CN112098792A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN114252831B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111527176.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本申请适用于射频/微波/毫米波测试技术领域，提供了太赫兹在片同轴验证及优化选择系统、方法及装置，该太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，包括：矢量网络分析仪、第一衰减器、第二衰减器、第一功率分配器和第二功率分配器；该太赫兹在片同轴验证及优化选择方法包括：通过太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，对标准件进行同轴模拟验证，确定标准件的组合；基于16项误差模型，计算组合中标准件的测量值与真实值的偏差；根据偏差和被测件的测量值，得到被测件的真实值。本申请通过对标准件的选择，确定了合适的标准件组合，在使用标准件数最小的情况下，使用精度最高的校准标准组合，提高了校准的精确度，进一步提高了太赫兹在片测量的精准度。
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